摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-11页 |
第1章 引言 | 第11-22页 |
·量子点的概述 | 第11-12页 |
·量子点的概述 | 第11页 |
·量子点的发光原理 | 第11页 |
·量子点的特点 | 第11-12页 |
·水相合成量子点方法现状 | 第12-15页 |
·传统水相合成法 | 第12-13页 |
·水热法 | 第13-14页 |
·辅助微波水热法制备 | 第14页 |
·其它水相合成方法 | 第14-15页 |
·.量子点的应用 | 第15-17页 |
·金属离子的含量测定 | 第15-16页 |
·阴离子的含量测定 | 第16页 |
·其它应用 | 第16-17页 |
·.砷的检测方法 | 第17-20页 |
·分光光度法 | 第17-18页 |
·原子吸收光谱法(AAS) | 第18-19页 |
·氢化物发生原子荧光光谱法(HG—AFS) | 第19页 |
·电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-AES) | 第19页 |
·电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS) | 第19-20页 |
·论文选题的依据及研究内容 | 第20-22页 |
·论文选题的依据 | 第20页 |
·本论文研究内容 | 第20-22页 |
第2章 单核 CdSe 量子点的制备 | 第22-39页 |
·前言 | 第22-23页 |
·实验 | 第23-25页 |
·实验用的试剂 | 第23页 |
·实验仪器 | 第23-24页 |
·实验过程 | 第24-25页 |
·结果与讨论 | 第25-38页 |
·正交实验的结果与讨论 | 第25-32页 |
·制备 CdSe 量子点的最佳回流时间 | 第32-33页 |
·CdSe 量子点的荧光光谱图 | 第33-34页 |
·CdSe 量子点的红外光谱 | 第34页 |
·CdSe 量子点的晶体结构 | 第34-35页 |
·CdSe 量子点的紫外可见吸收光谱 | 第35-36页 |
·加热方式对 CdSe 量子点的荧光强度的影响 | 第36-37页 |
·CdSe 量子点的荧光稳定性 | 第37页 |
·加料方式对量子点荧光强度的影响 | 第37-38页 |
·CdSe 量子点的 TEM 图 | 第38页 |
·小结 | 第38-39页 |
第3章 CdSe/CdS 量子点的制备及表征 | 第39-46页 |
·前言 | 第39-40页 |
·实验部分 | 第40-41页 |
·试剂 | 第40页 |
·实验仪器 | 第40页 |
·CdSe/CdS 核-壳型量子点的合成 | 第40-41页 |
·结果与讨论 | 第41-44页 |
·CdSe/CdS,量子点的晶体结构 | 第41-42页 |
·CdSe/CdS 量子点的荧光性能 | 第42页 |
·CdSe、CdS 不同摩尔比对 CdSe/CdS 荧光强度的影响 | 第42-43页 |
·CdSe/CdS 合成时间对荧光强度的影响 | 第43-44页 |
·CdSe/CdS 量子点的荧光稳定性 | 第44页 |
·CdSe/CdS 量子点的透射电镜图 | 第44页 |
·本章小结 | 第44-46页 |
第4章 CdSe/CdS 量子点荧光猝灭测定痕量砷 | 第46-53页 |
·前言 | 第46页 |
·实验部分 | 第46-47页 |
·试剂 | 第46-47页 |
·实验仪器 | 第47页 |
·实验方法 | 第47页 |
·结果与讨论 | 第47-51页 |
·仪器灵敏度的选择 | 第47页 |
·量子点浓度的选择 | 第47-48页 |
·pH 值对 CdSe/CdS 量子点的荧光强度的影响 | 第48-49页 |
·反应时间的确定 | 第49页 |
·砷的测定 | 第49-50页 |
·常见共存离子的影响 | 第50-51页 |
·样品分析 | 第51页 |
·测砷的荧光猝灭机理 | 第51页 |
·实验中存在的问题及解决办法 | 第51-52页 |
·本章小结 | 第52-53页 |
结论 | 第53-54页 |
致谢 | 第54-55页 |
参考文献 | 第55-62页 |
攻读学位期间取得学术成果 | 第62页 |