| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-17页 |
| ·半导体光放大器的发展概况及其应用 | 第8-11页 |
| ·偏振不相关量子阱SOA 的研究方案 | 第11-12页 |
| ·量子点SOA 的特点 | 第12-15页 |
| ·本论文的主要内容 | 第15-16页 |
| ·本论文的篇章结构 | 第16-17页 |
| 2 MOCVD 材料外延生长与测试技术 | 第17-33页 |
| ·MOCVD 技术简介 | 第17-23页 |
| ·外延材料的测试技术 | 第23-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 3 应变在半导体光放大器中的应用 | 第33-39页 |
| ·量子阱、超晶格中应变的引入 | 第33-34页 |
| ·应变对能带结构的影响 | 第34-35页 |
| ·混合应变量子阱半导体光放大器 | 第35-36页 |
| ·应变量子阱半导体光放大器的设计方案 | 第36-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 4 应变量子阱半导体光放大器的生长与测试 | 第39-52页 |
| ·体材料的生长测试与分析 | 第39-45页 |
| ·量子阱的生长测试与分析 | 第45-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 5 量子点外延生长工艺的理论研究与生长测试 | 第52-62页 |
| ·自组织量子点 | 第52-58页 |
| ·InAs/GaAs 量子点材料的MOVCD 生长与测试 | 第58-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 6 主要结论 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-71页 |
| 附录 攻读硕士学位期间发表论文 | 第71页 |