| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-40页 |
| ·热电材料简介 | 第11-19页 |
| ·热电材料的定义 | 第11-12页 |
| ·热电现象的三个基本效应 | 第12-19页 |
| ·塞贝克效应(Seebeck effect) | 第12-15页 |
| ·帕尔帖效应(Peltie effect) | 第15-17页 |
| ·汤姆逊效应(Thomson effect) | 第17-18页 |
| ·三种效应之间的关系 | 第18-19页 |
| ·热电材料中相互矛盾的基本参数 | 第19-24页 |
| ·载流子浓度 | 第19-21页 |
| ·有效质量 | 第21-22页 |
| ·电子热导率 | 第22-23页 |
| ·晶格热导率 | 第23-24页 |
| ·热电材料的种类 | 第24-26页 |
| ·设计“电子晶体-声子玻璃”输运特性的热电材料 | 第24-25页 |
| ·功能梯度材料(FGM) | 第25页 |
| ·形成所谓“重费米子”半导体 | 第25页 |
| ·准晶材料 | 第25-26页 |
| ·填充式导电聚合物复合材料 | 第26页 |
| ·低维热电材料 | 第26页 |
| ·热电材料的研究进展 | 第26-31页 |
| ·传统热电材料 | 第27-29页 |
| ·Bi-Sb合金 | 第27页 |
| ·Bi_2Te_3类化合物 | 第27-28页 |
| ·PbTe及其合金 | 第28页 |
| ·SiGe合金 | 第28-29页 |
| ·新型热电材料 | 第29-31页 |
| ·Zn_4Sb_3刑热电材料 | 第29页 |
| ·Half-Heusler合金 | 第29-30页 |
| ·碳化硼(BC) | 第30页 |
| ·Zintl相化合物 | 第30-31页 |
| ·氧化物型热电材料 | 第31页 |
| ·论文选题的目的和研究内容 | 第31-33页 |
| ·正四价元素掺杂In_2O_3的热电特性 | 第32页 |
| ·Zintl相材料的热电特性 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-40页 |
| 第二章 第一性原理 | 第40-58页 |
| ·常用的计算方法 | 第40-41页 |
| ·蒙特卡罗(Monte Carlo)方法 | 第40页 |
| ·分子动力学(Molecular Dynamics)方法 | 第40-41页 |
| ·第一性原理方法(first-principles calculation) | 第41页 |
| ·第一性原理解决问题的基本思路 | 第41-42页 |
| ·对多粒子系统的薛定谔方程的近似 | 第42-47页 |
| ·非相对论近似(Non-relativistic approximation) | 第42-43页 |
| ·玻恩-奥本海默近似(Born-Oppenheimer approximation) | 第43-44页 |
| ·单电子近似 | 第44-47页 |
| ·密度泛函理论(DFT) | 第47-52页 |
| ·托马斯-费米(Thomas-Fermi)模型 | 第48-49页 |
| ·霍亨伯格-孔恩(Hohenberg-Kohn)定理 | 第49-50页 |
| ·科恩-沈吕九(Kohn-Sham)方程 | 第50-52页 |
| ·交换关联泛函(Correlation exchange functional) | 第52-54页 |
| ·局域密度近似泛函(Local Density Approximation,LDA) | 第52-53页 |
| ·广义梯度近似(Generalized Gradient Approximation,GGA)泛函 | 第53-54页 |
| ·轨道泛函LDA(GGA)+U | 第54页 |
| ·杂化密度泛函(Hydrid Density Functional) | 第54页 |
| ·本文采用的密度泛函理论计算软件 | 第54-55页 |
| ·VASP(Vienna Ab-initio Simulation Package) | 第55页 |
| ·WIEN2k | 第55页 |
| ·BoltzTrap | 第55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 第三章 In_(32-x)Ge_xO_(48)在低温下的电子结构和热电特性 | 第58-66页 |
| ·研究背景 | 第58页 |
| ·计算方法 | 第58-59页 |
| ·结果和讨论 | 第59-63页 |
| ·形成能和电子结构 | 第59-61页 |
| ·输运性质 | 第61-63页 |
| ·本章小结 | 第63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 第四章 窒温下In_(32-x)Sn_xO_(48)(x=0、1和2)的高热电性能 | 第66-76页 |
| ·研究背景 | 第66页 |
| ·计算方法 | 第66-67页 |
| ·计算模型 | 第67-68页 |
| ·结果和讨论 | 第68-72页 |
| ·电子结构 | 第68页 |
| ·输运性质 | 第68-72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-76页 |
| 第五章 In_(24)M_8O_(48)(M=Ge~(4+)、Sn~(4+)、Ti~(4+)和Zr~(4+))的电子结构和低温热电特性 | 第76-90页 |
| ·研究背景 | 第76-77页 |
| ·晶格结构和计算方法 | 第77-79页 |
| ·结果和讨论 | 第79-85页 |
| ·本章小结 | 第85-86页 |
| 参考文献 | 第86-90页 |
| 第六章 Ca_5Al_2Sb_6的晶格结构、电子结构和热电特性 | 第90-105页 |
| ·研究背景 | 第90-91页 |
| ·研究方法 | 第91-92页 |
| ·晶格结构 | 第92-93页 |
| ·结果和讨论 | 第93-100页 |
| ·本章小结 | 第100页 |
| 参考文献 | 第100-105页 |
| 第七章 Zintl化合物—Ca_5Ga_2As_6的高热电特性 | 第105-119页 |
| ·研究背景 | 第105-106页 |
| ·计算方法 | 第106-107页 |
| ·结果和讨论 | 第107-115页 |
| ·晶格结构和成键特性 | 第107-110页 |
| ·输运性质 | 第110-115页 |
| ·电子结构 | 第115页 |
| ·本章小结 | 第115-116页 |
| 参考文献 | 第116-119页 |
| 第八章 结论与展望 | 第119-121页 |
| ·结论 | 第119-120页 |
| ·正四价元素掺杂In_2O_3的热电特性 | 第119-120页 |
| ·Zintl相材料的热电特性 | 第120页 |
| ·展望 | 第120-121页 |
| 博士期间完成的论文 | 第121-122页 |
| 致谢 | 第122-123页 |
