| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| §1.1 团簇概述 | 第9-10页 |
| §1.2 硅团簇的研究状况 | 第10-12页 |
| §1.3 本论文的主要内容 | 第12-14页 |
| 参考文献 | 第14-15页 |
| 第二章 理论基础和计算方法 | 第15-33页 |
| §2.1 密度泛函理论(DFT) | 第15-24页 |
| §2.1.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第16-17页 |
| §2.1.2 Kohn-Sham方程 | 第17-20页 |
| §2.1.3 交换-关联能 | 第20-21页 |
| §2.1.4 局域密度近似(LDA) | 第21-23页 |
| §2.1.5 广义梯度近似(GGA) | 第23-24页 |
| §2.2 赝势平面波方法 | 第24-28页 |
| §2.2.1 平面波方法 | 第25-26页 |
| §2.2.2 赝势方法 | 第26-28页 |
| §2.3 VASP程序包简介 | 第28-31页 |
| 参考文献 | 第31-33页 |
| 第三章 3d过渡金属原子掺杂Si_(12)团簇 | 第33-46页 |
| §3.1 引言 | 第33-34页 |
| §3.2 计算方法 | 第34页 |
| §3.3 计算结果与分析 | 第34-45页 |
| §3.3.1 键长 | 第35-37页 |
| §3.3.2 结合能(BE)和能隙(HOMO-LUMO Gap) | 第37-42页 |
| §3.3.3 垂直电离势(VIP)和绝热电子亲和势(AEA) | 第42-43页 |
| §3.3.4 磁性 | 第43-45页 |
| 参考文献 | 第45-46页 |
| 第四章 VIB族过渡金属原子掺杂Si团簇 | 第46-59页 |
| §4.1 引言 | 第46-47页 |
| §4.2 计算方法 | 第47页 |
| §4.3 计算结果与分析 | 第47-58页 |
| §4.3.1 团簇Si_(12)M(M=Cr,Mo,W)的稳定性 | 第48-50页 |
| §4.3.2 团簇Si_(18)M_2(M=Cr,Mo,W)的稳定性 | 第50-55页 |
| §4.3.3 团簇Si_(12)Mo的自我堆积 | 第55-58页 |
| 参考文献 | 第58-59页 |
| 第五章 主要结论 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
