| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 引言 | 第9-11页 |
| 第一章 中子照相系统的辐射防护 | 第11-21页 |
| ·γ、中子与物质相互作用 | 第11-12页 |
| ·生物组织的辐射效应 | 第12页 |
| ·半导体器件和集成电路的辐射效应 | 第12-17页 |
| ·辐射剂量及屏蔽的计算方法 | 第17-21页 |
| ·经验公式计算 | 第17-18页 |
| ·蒙特卡罗法模拟计算 | 第18-21页 |
| 第二章 半导体器件在辐射场中的损伤实验 | 第21-30页 |
| ·CCD 相机芯片的辐射损伤机制 | 第21-25页 |
| ·中子注量的影响 | 第21-23页 |
| ·总剂量的影响 | 第23-24页 |
| ·剂量率的影响 | 第24-25页 |
| ·视频器件辐照实验 | 第25-30页 |
| ·实验设置 | 第25页 |
| ·实验条件 | 第25-26页 |
| ·实验结果 | 第26-27页 |
| ·数据处理 | 第27-30页 |
| 第三章 剂量仪的标定 | 第30-34页 |
| ·剂量仪表刻度标定方法 | 第30页 |
| ·实验计算与测量结果 | 第30-32页 |
| ·热释光剂量仪实验测量值与计算值的比较 | 第32-34页 |
| 第四章 加速器 ~9Be（d,n）中子能谱的测量实验 | 第34-50页 |
| ·计算剂量所需核反应物理参数的计算与测量 | 第34-39页 |
| ·组合叠层 CR-39 固体径迹探测器法探测径迹的物理过程 | 第39-41页 |
| ·实验设置 | 第41-42页 |
| ·加速器 D(d,n)气体靶准单能中子能谱的测量 | 第42-43页 |
| ·数据处理 | 第43-45页 |
| ·测量氘离子能量3MeV 和1.5MeV 的 ~9Be（d,n）反应中子能谱 | 第45-49页 |
| ·小结 | 第49-50页 |
| 第五章 基于 ~9Be(d,n)反应中子数字化成像系统的屏蔽计算 | 第50-62页 |
| ·~9Be(d,n)反应中子数字化成像系统的特点 | 第50页 |
| ·模拟方法的验证 | 第50-54页 |
| ·γ剂量的估算 | 第50-51页 |
| ·中子剂量的估算 | 第51-52页 |
| ·~9Be(d,n)加速器中子源中子、γ混合辐射场的总吸收剂量率的估算 | 第52-54页 |
| ·加速器 ~9Be（d,n）反应中子源热中子数字化成像屏蔽系统设计 | 第54-56页 |
| ·材料选择 | 第54-55页 |
| ·厚度选择 | 第55-56页 |
| ·MCNP 模拟计算方法评估 ~9Be（d,n）热中子成像屏蔽系统 | 第56-61页 |
| ·D-Be 反应热释光探测器的测量γ吸收剂量与计算结果比较 | 第58页 |
| ·模拟计算各部分屏蔽材料对 CCD 芯片的影响 | 第58-61页 |
| ·小结 | 第61-62页 |
| 第六章 基于加速器 D(d,n)反应中子成像系统的屏蔽计算 | 第62-67页 |
| ·屏蔽材料厚度和几何结构的 MCNP 模拟计算 | 第62-64页 |
| ·MCNP 模拟计算屏蔽材料厚度组合次序的优化 | 第64-65页 |
| ·加速器 D(d,n)反应中子成像屏蔽系统的模拟计算结果 | 第65-66页 |
| ·小结 | 第66-67页 |
| 第七章 结论 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 个人简历、在校期间的研究成果 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
