| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| ·硅基应变材料 | 第8-10页 |
| ·应变锗硅 | 第8-10页 |
| ·应变硅 | 第10页 |
| ·硅基应变材料表征研究的意义方法及现状 | 第10-13页 |
| ·硅基应变材料表征的意义 | 第10-12页 |
| ·硅基应变材料表征的方法 | 第12页 |
| ·国内外表征技术现状及趋势 | 第12-13页 |
| ·本论文工作内容 | 第13-14页 |
| 第二章 硅和锗硅的光学性质 | 第14-24页 |
| ·硅的光学性质 | 第14-17页 |
| ·折射率和反射率 | 第14-15页 |
| ·吸收系数 | 第15-17页 |
| ·锗硅的光学性质 | 第17-22页 |
| ·折射率 | 第17-18页 |
| ·吸收系数 | 第18-22页 |
| ·本章小结 | 第22-24页 |
| 第三章 硅基应变材料的拉曼光谱表征研究 | 第24-36页 |
| ·拉曼光谱原理 | 第24-26页 |
| ·拉曼散射光谱原理 | 第24-25页 |
| ·半导体拉曼散射 | 第25-26页 |
| ·应变硅材料的Raman 表征 | 第26-30页 |
| ·应变硅的应变度 | 第26-29页 |
| ·应变硅中的应力 | 第29-30页 |
| ·应变锗硅材料的Raman 表征 | 第30-35页 |
| ·应变锗硅组分及应应变的表征 | 第30-34页 |
| ·完全弛豫SiGe 组分的确定 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 硅基应变材料的高分辨X 射线衍射法研究 | 第36-48页 |
| ·HRXRD 特点与研究对象 | 第36-37页 |
| ·HRXRD 的特点 | 第36页 |
| ·HRXRD 表征的主要对象 | 第36-37页 |
| ·HRXRD 测试原理与方法 | 第37-43页 |
| ·晶格常数的测定 | 第37页 |
| ·硅基应变材料应变量ε的HRXRD 测定 | 第37-39页 |
| ·硅基应变材料膜厚的测量 | 第39页 |
| ·硅基应变材料应力的HRXRD 表征 | 第39-43页 |
| ·硅基应变材料的HRXRD 测试结果与分析 | 第43-46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 第五章 硅基应变材料的透射电子显微镜（TEM）表征研究 | 第48-54页 |
| ·样品的制备 | 第48-50页 |
| ·手工减薄 | 第48-50页 |
| ·离子减薄 | 第50页 |
| ·硅基应变材料的TEM 实验结果与分析 | 第50-53页 |
| ·TEM 实验步骤 | 第51页 |
| ·实验结果与分析 | 第51-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第六章 硅基应变材料表面形貌与组分分布表征研究 | 第54-64页 |
| ·硅基应变材料的原子力显微镜（AFM）表征研究 | 第54-60页 |
| ·AFM 原理 | 第54-55页 |
| ·AFM 测试实验步骤 | 第55-56页 |
| ·硅基应变材料薄膜表面粗糙度的AFM 测试实验 | 第56-57页 |
| ·AFM 表征粗糙度的局限性 | 第57-58页 |
| ·应变硅外延材料表面缺陷的AFM 表征 | 第58-60页 |
| ·硅基应变材料的卢瑟福背散射(RBS)表征 | 第60-62页 |
| ·RBS 原理 | 第60页 |
| ·测试方法 | 第60-61页 |
| ·计算方法 | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-64页 |
| 第七章 结束语 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 攻读硕士期间的研究成果和参加的科研项目 | 第71-72页 |