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片式PTCR元件用粉体的sol-gel法制备及性能研究

摘要第1-5页
Abstract第5-9页
1 绪论第9-18页
   ·PTCR 的研究现状和发展趋势第9-12页
   ·纳米BaTiO_3 粉体制备研究概况第12-14页
   ·PTCR 陶瓷的掺杂改性和工艺研究第14-16页
   ·本论文的立题依据和目的第16-17页
   ·本课题的来源和研究内容第17-18页
2 溶胶-凝胶法制备纳米PTCR 陶瓷粉体第18-30页
   ·实验原料的选择第18-20页
   ·PTCR 粉体制备的机理及工艺过程第20-24页
   ·半导化BaTiO_3 基陶瓷粉体的结果分析第24-30页
3 多层片式PTCR 陶瓷的组分和工艺研究第30-44页
   ·BaTiO_3 基PTCR 陶瓷的制备第30-32页
     ·陶瓷的制备过程第30-32页
     ·陶瓷样品电性能的测试第32页
   ·施受主的掺杂量与陶瓷性能的关系第32-38页
   ·添加液相和Ca 的陶瓷结构性能分析第38-40页
   ·烧结工艺对PTCR 陶瓷性能的影响第40-44页
     ·烧结温度对陶瓷性能的影响第40-42页
     ·烧结温度与预烧温度的关系第42-43页
     ·烧结温度对瓷体密度的影响第43-44页
4 水基流延成型片式PTCR 性能研究第44-55页
   ·PTCR 坯片成型工艺现状第44-46页
   ·水基流延法制备片式PTCR 陶瓷第46-50页
     ·流延成型工艺的成膜机理第46页
     ·流延成型工艺的分类第46-47页
     ·水基流延浆料的基本组成部分第47-48页
     ·片式元件用浆料的制备及水基流延工艺过程第48-50页
   ·片式PTCR 陶瓷的结构性能分析第50-55页
     ·制备工艺对PTCR 陶瓷微观结构的影响第50-52页
     ·制备工艺对PTCR 陶瓷性能的影响第52-55页
5 结论第55-57页
致谢第57-58页
参考文献第58-62页

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