| 提要 | 第1-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-39页 |
| ·引言 | 第8-10页 |
| ·光衰减器 | 第10-25页 |
| ·光衰减器的发展 | 第10-13页 |
| ·光衰减器的几种新技术 | 第13-21页 |
| ·光衰减器应用的性能要求 | 第21页 |
| ·光衰减器的主要性能指标 | 第21-22页 |
| ·几种新技术的性能比较 | 第22-24页 |
| ·光衰减器应用发展趋势 | 第24-25页 |
| ·基于聚合物液晶材料的光通讯器件 | 第25-30页 |
| ·聚合物液晶材料的光衰减机理 | 第26-27页 |
| ·基于聚合物液晶材料光器件的研究发展 | 第27-30页 |
| ·本论文的研究意义及主要研究内容 | 第30-33页 |
| ·研究意义 | 第30-31页 |
| ·主要研究内容 | 第31-32页 |
| ·论文创新之处 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-39页 |
| 第二章 聚合物液晶材料的电光特性分析 | 第39-70页 |
| ·液晶介绍 | 第39-46页 |
| ·液晶的分类 | 第39-42页 |
| ·液晶的物理性质和各向异性 | 第42-46页 |
| ·聚合物/液晶复合材料 | 第46-51页 |
| ·聚合物分散液晶的光衰减机理 | 第48-49页 |
| ·聚合物分散液晶的制备工艺 | 第49-50页 |
| ·聚合物分散液晶的应用 | 第50-51页 |
| ·聚合物液晶材料的制备 | 第51-56页 |
| ·选择材料 | 第51-55页 |
| ·紫外辐照相分离实验 | 第55页 |
| ·性能测试 | 第55-56页 |
| ·实验结果与讨论 | 第56-66页 |
| ·液晶材料的影响 | 第56-60页 |
| ·齐聚物与稀释剂的影响 | 第60-62页 |
| ·光引发剂的影响 | 第62-64页 |
| ·固化温度的影响 | 第64-66页 |
| ·结论 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-70页 |
| 第三章 透明导电薄膜的制备及测试分析 | 第70-95页 |
| ·氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜的结构特性 | 第70-73页 |
| ·ITO 透明导电薄膜发展 | 第70-71页 |
| ·ITO 薄膜的导电机制和特性 | 第71-73页 |
| ·ITO 透明导电薄膜的制备技术及工艺方法 | 第73-75页 |
| ·磁控溅射沉积 | 第73-74页 |
| ·真空蒸发沉积 | 第74页 |
| ·化学气相沉积（CVD） | 第74页 |
| ·溶胶- 凝胶(Sol- Gel)法 | 第74-75页 |
| ·ITO 透明导电薄膜的制备实验与测试 | 第75-90页 |
| ·射频磁控溅射技术介绍 | 第75-76页 |
| ·实验设备与材料准备 | 第76-77页 |
| ·实验工艺条件对ITO 透明导电薄膜的性能影响 | 第77-90页 |
| ·单模光纤端面溅射氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜 | 第90-91页 |
| ·结论 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-95页 |
| 第四章 可变光衰减器器件结构制作工艺研究及器件性能测试 | 第95-119页 |
| ·器件结构设计 | 第95-96页 |
| ·器件制作工艺流程 | 第96-112页 |
| ·实验准备 | 第96-98页 |
| ·氮化硅与二氧化硅掩膜层 | 第98-99页 |
| ·光刻工艺 | 第99-102页 |
| ·反应离子刻蚀（RIE）工艺 | 第102-104页 |
| ·湿法刻蚀工艺 | 第104-108页 |
| ·金属导电电极的制作 | 第108-109页 |
| ·光纤溅射ITO 透明导电薄膜 | 第109页 |
| ·耦合光纤 | 第109-111页 |
| ·聚合物液晶材料填充，器件组装 | 第111-112页 |
| ·器件性能指标的测试 | 第112-115页 |
| ·建立测试系统 | 第112-113页 |
| ·衰减指标的测试 | 第113-115页 |
| ·响应时间测试 | 第115页 |
| ·结论 | 第115-117页 |
| 参考文献 | 第117-119页 |
| 第五章 全文总结与展望 | 第119-123页 |
| ·全文总结 | 第119-122页 |
| ·工作展望 | 第122-123页 |
| 致谢 | 第123-124页 |
| 攻读博士期间取得的研究成果 | 第124-126页 |
| 摘要 | 第126-129页 |
| Abstract | 第129-132页 |