摘要 | 第1-7页 |
ABSTRACT | 第7-13页 |
1 绪论 | 第13-35页 |
·研究背景和意义 | 第13页 |
·问题的提出 | 第13-14页 |
·论文的主要研究内容 | 第14页 |
·论文的主要创新点 | 第14-15页 |
·单分散SiO_2 胶体球制备与改性的研究现状 | 第15-17页 |
·单分散SiO_2 胶体球的制备方法 | 第15-16页 |
·SiO_2 胶体球的表面改性 | 第16-17页 |
·光子晶体概述 | 第17-21页 |
·光子晶体概念的提出 | 第17-18页 |
·光子带隙的形成 | 第18-19页 |
·光子晶体的特征 | 第19-21页 |
·光子晶体的制备方法 | 第21-31页 |
·精密加工方法 | 第21-25页 |
·自组装法 | 第25-31页 |
·光子晶体的应用前景 | 第31-35页 |
·高效率发光二极管 | 第31-32页 |
·光子晶体光波导 | 第32页 |
·光子晶体光纤 | 第32-33页 |
·光子晶体激光器 | 第33页 |
·多功能传感器材料 | 第33-34页 |
·光子晶体光开关 | 第34-35页 |
2 实验药品和仪器 | 第35-40页 |
·实验药品 | 第35页 |
·实验设备 | 第35-36页 |
·主要测试仪器及原理 | 第36-40页 |
·X 射线衍射仪(XRD) | 第36-37页 |
·傅立叶红外光谱仪(FT-IR) | 第37页 |
·场发射扫描电子显微镜(FESEM) | 第37-38页 |
·Zeta 电位粒度仪 | 第38页 |
·X 射线光电子能谱仪(XPS) | 第38-39页 |
·紫外-可见-近红外光谱仪(UV/Vis/NIR) | 第39-40页 |
3 单分散SiO_2 胶体球的制备及表征 | 第40-47页 |
·引言 | 第40页 |
·实验过程 | 第40-42页 |
·结果和讨论 | 第42-46页 |
·单分散SiO_2 胶体球的形成机理 | 第42-43页 |
·XRD 测试结果及分析 | 第43页 |
·FT-IR 测试结果及分析 | 第43-44页 |
·氨水对TEOS 水解的影响 | 第44-45页 |
·TEOS 的量对实验结果的影响 | 第45-46页 |
·本章小结 | 第46-47页 |
4 丁二酸表面改性SiO_2 胶体球的制备及表征 | 第47-56页 |
·引言 | 第47页 |
·实验过程 | 第47-48页 |
·丁二酸表面改性SiO_2 胶体球的机理分析 | 第48-49页 |
·电荷控制剂的选择 | 第48页 |
·机理分析 | 第48-49页 |
·结果与讨论 | 第49-55页 |
·FT-IR 测试结果及分析 | 第49-50页 |
·XPS 测试结果及分析 | 第50-51页 |
·电学性能分析 | 第51-52页 |
·SiO_2 球在去离子水中的带电机理 | 第52-55页 |
·丁二酸改性对SiO_2 胶体球在水溶液中稳定性的作用 | 第55页 |
·本章小结 | 第55-56页 |
5 SiO_2 胶体晶体自组装制备及其光子带隙性能研究 | 第56-72页 |
·引言 | 第56页 |
·实验过程 | 第56-58页 |
·结果与讨论 | 第58-70页 |
·垂直沉积法的微观机制 | 第58-59页 |
·溶剂的选择 | 第59页 |
·改性对胶体晶体影响 | 第59-61页 |
·胶体晶体结构及缺陷观测 | 第61-63页 |
·胶体球浓度对胶体晶体的影响 | 第63-64页 |
·温度对胶体晶体的影响 | 第64-65页 |
·pH 值对胶体晶体的影响 | 第65-66页 |
·胶体球粒径与胶体晶体关系 | 第66-67页 |
·胶体晶体光子带隙变角度分析 | 第67-69页 |
·胶体晶体热处理研究 | 第69-70页 |
·本章小结 | 第70-72页 |
6 双尺寸分布SiO_2 胶体球制备及其组装 | 第72-77页 |
·引言 | 第72页 |
·实验过程 | 第72-73页 |
·结果与讨论 | 第73-76页 |
·NaCl 电解质对双尺寸分布SiO_2 胶体颗粒产生的影响 | 第73-74页 |
·具有双尺寸分布的SiO_2 胶体颗粒成核和生长模型 | 第74-75页 |
·双尺寸分布SiO_2 胶体颗粒组装的胶体晶体 | 第75-76页 |
·本章小结 | 第76-77页 |
7 结论与展望 | 第77-79页 |
·结论 | 第77-78页 |
·建议与展望 | 第78-79页 |
参考文献 | 第79-88页 |
攻读硕士学位期间发表的论文和申请的专利 | 第88-89页 |