| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 图表索引 | 第8-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-14页 |
| ·研究背景 | 第9-10页 |
| ·研究目标 | 第10-11页 |
| ·研究意义 | 第11页 |
| ·本文的主要工作 | 第11-12页 |
| ·论文结构 | 第12-14页 |
| 第二章 几种流行的模拟IC低压低功耗设计技术 | 第14-23页 |
| ·模拟IC中的低压低功耗设计 | 第14页 |
| ·工艺技术的改进 | 第14页 |
| ·MOSFET建模的改进 | 第14-16页 |
| ·降低功耗的约束的电路策略 | 第16-23页 |
| ·弱反型＼亚阈值电路 | 第16-17页 |
| ·衬底驱动MOSFETs | 第17-18页 |
| ·浮动栅极MOSFETs | 第18-20页 |
| ·Self-Cascode MOSFETs | 第20页 |
| ·电流模电路 | 第20-22页 |
| ·电平移位技术 | 第22-23页 |
| 第三章 MOSFETs模型 | 第23-35页 |
| ·MOSFETs基本特性 | 第23-24页 |
| ·UDSM短沟道效应 | 第24-25页 |
| ·建模的发展过程 | 第25-26页 |
| ·建模方法 | 第26-28页 |
| ·基于电荷的分段模型 | 第26-27页 |
| ·基于表面电势模型 | 第27-28页 |
| ·基于电导的混合方法 | 第28页 |
| ·BSIM3、SP2001和EKV模型比较 | 第28-34页 |
| ·BSIM3模型 | 第28-29页 |
| ·SP2001模型 | 第29-30页 |
| ·EKV模型 | 第30-31页 |
| ·模型的比较 | 第31-34页 |
| ·结论 | 第34-35页 |
| 第四章 EKV模型介绍 | 第35-45页 |
| ·EKV模型的概述 | 第35-36页 |
| ·对称特性的使用 | 第36-37页 |
| ·大信号模型公式化 | 第37-43页 |
| ·强反型区的反型电荷和夹断电压的定义 | 第37-41页 |
| ·弱反型的反型电荷 | 第41-42页 |
| ·漏极电流的通常表达式 | 第42-43页 |
| ·参求解方法 | 第43-45页 |
| 第五章 衬底驱动MOSFET的特性分析 | 第45-51页 |
| ·衬底驱动MOSFET工作原理及低压特性分析 | 第45-49页 |
| ·衬底驱动MOSFET的频率特性分析 | 第49-50页 |
| ·衬底驱动MOSFET的噪声特性 | 第50页 |
| ·基于衬底驱动MOSFET的超低压运算放大器设计 | 第50-51页 |
| 第六章 运算跨导放大器的设计和实现 | 第51-57页 |
| ·运算放大器的设计方法 | 第51-55页 |
| ·两级运算放大器设计 | 第55-56页 |
| ·运放的模拟和测量 | 第56-57页 |
| 第七章 EKV衬底驱动MOSFETs的超低功耗运算跨导放大器设计实现和仿真分析 | 第57-64页 |
| ·EKV衬底驱动MOSFETs的超低功耗运算跨导放大器设计实现 | 第57-61页 |
| ·设计环境 | 第57-59页 |
| ·设计实现 | 第59-61页 |
| ·EKV衬底驱动MOSFETs的超低功耗运算跨导放大器仿真分析 | 第61-62页 |
| ·仿真目的 | 第61页 |
| ·仿真方案 | 第61页 |
| ·仿真环境 | 第61-62页 |
| ·仿真结果 | 第62页 |
| ·结果的对比分析 | 第62-64页 |
| 第八章 结束语 | 第64-66页 |
| ·工作总结 | 第64-65页 |
| ·今后工作的展望 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 作者在攻读学位期间完成的工作 | 第70-71页 |
| 1.完成的课题 | 第70页 |
| 2.国内刊物上发表的论文 | 第70页 |
| 3.其他工作 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
