首页--数理科学和化学论文--原子核物理学、高能物理学论文--原子核物理学论文

新型PIN硅半导体探测器的辐射损伤研究

目录第1-6页
摘要第6-7页
ABSTRACT第7-8页
引言第8-12页
第一章 辐射与物质的相互作用及辐射损伤机理研究第12-24页
   ·辐射与物质的相互作用第12-13页
   ·辐射损伤机理研究第13-19页
     ·辐射损伤的概念第13-14页
     ·电子过程第14-15页
     ·原子过程第15-19页
   ·微观缺陷对宏观电参数造成的影响第19-24页
第二章 质子辐照实验设备和方法第24-29页
   ·设备描述第24页
   ·实验前的计算第24-26页
     ·散射质子能量随散射角度的变化第25页
     ·辐照时间的估算第25-26页
   ·实验方法及条件描述第26-27页
   ·实验中影响探测器能量分辨率的几个因素第27-29页
第三章 PIN探测器的电荷收集特性研究第29-34页
第四章 质子注入实验第34-46页
   ·主要实验内容第34页
   ·实验结果第34-44页
     ·探测器的电荷收集效率辐照剂量的变化规律第34-41页
     ·PIN型探测器的能量分辨随质子辐照剂量的变化规律第41页
     ·PIN型探测器的正反向电阻随照射剂量的变化规律第41-44页
   ·结果及讨论第44-46页
第五章 质子贯穿实验第46-55页
   ·实验设备、条件及方法第46页
   ·原始实验结果第46-52页
     ·探测器的电荷收集效率辐照剂量的变化规律第46-50页
     ·PIN型探测器的能量分辨随质子辐照剂量的变化规律第50-51页
     ·PIN型探测器的正反向电阻随照射剂量的变化规律第51-52页
   ·结果及讨论第52-55页
第六章 总结第55-57页
参考文献第57-59页
图表索引第59-62页
科研成果第62-63页
致谢第63页

论文共63页,点击 下载论文
上一篇:珠海、恩施两地中学生人际间暴力发生现况及影响因素研究
下一篇:十五种嵩草属植物的RAPD分析及其系统学意义