| 摘要 | 第1-5页 |
| Abastract | 第5-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-23页 |
| 前言 | 第9页 |
| 第一节 研究低介电常数材料的意义及性能要求 | 第9-16页 |
| ·问题的提出—克服RC延迟 | 第9-11页 |
| ·低介电值(low k)材料的获得办法及其特性需求 | 第11-14页 |
| ·低介电常数材料的分类及制备方法 | 第14-16页 |
| 第二节 态密度及其研究意义 | 第16-18页 |
| ·态密度对分析介电材料的漏电流有重要价值 | 第16-17页 |
| ·电介质漏电流的来源 | 第16-17页 |
| ·隙态与电学缺陷 | 第17页 |
| ·隙态密度的研究方法 | 第17-18页 |
| 第三节 研究现状 | 第18-19页 |
| 第四节 本文选题思路和研究目的 | 第19-20页 |
| 第五节 本章小结 | 第20-21页 |
| 参考文献 | 第21-23页 |
| 第二章 实验方法 | 第23-36页 |
| 前言 | 第23页 |
| 第一节 溶胶-凝胶旋压制膜工艺 | 第23-26页 |
| ·溶胶-凝胶工艺的原理 | 第23-24页 |
| ·实验仪器和药品 | 第24页 |
| ·氧化硅凝胶的制备原理 | 第24-26页 |
| 第二节 薄膜的结构表征 | 第26-28页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第26页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第26页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第26-27页 |
| ·傅立叶红外(FTIR)分析薄膜成分 | 第27页 |
| ·拉曼散射(Raman)分析薄膜的结构 | 第27-28页 |
| 第三节 薄膜的光学及电学性能测试 | 第28-30页 |
| ·金属-氧化物-半导体(MOS)结构 | 第28-29页 |
| ·电容-电压(C-V)测试 | 第29页 |
| ·电流-电压(I-V)测试 | 第29-30页 |
| ·紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱 | 第30页 |
| 第四节 空间电荷限制电流 | 第30-33页 |
| ·空间电荷限制电流(SCLC) | 第30-31页 |
| ·SCLC的理论模型 | 第31-33页 |
| ·通过SCLC模型反推态密度 | 第33页 |
| 第五节 本章小结 | 第33-34页 |
| 参考文献 | 第34-36页 |
| 第三章 F掺杂多孔SiO_2薄膜的制备及形貌结构表征 | 第36-48页 |
| 前言 | 第36页 |
| 第一节 实验 | 第36-37页 |
| ·溶胶的制备 | 第36-37页 |
| ·镀膜 | 第37页 |
| ·后续处理 | 第37页 |
| 第二节 数据及分析 | 第37-46页 |
| ·多孔SiO_2薄膜的SEM图 | 第37-42页 |
| ·多孔SiO_2薄膜的AFM图 | 第42-44页 |
| ·多孔SiO_2薄膜的TEM图 | 第44页 |
| ·多孔SiO_2薄膜的成分结构 | 第44-46页 |
| 第三节 本章小结 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-48页 |
| 第四章 掺F多孔SiO_2薄膜的缺陷态研究 | 第48-61页 |
| 前言 | 第48页 |
| 第一节 实验 | 第48-49页 |
| 第二节 数据分析 | 第49-59页 |
| ·掺F含量对电流和电导的影响 | 第49-50页 |
| ·掺F含量对隙态密度的影响 | 第50-52页 |
| ·涂膜层数对电流的影响 | 第52-55页 |
| ·改性退火处理对薄膜的影响 | 第55-57页 |
| ·掺F氧化硅薄膜的光学带隙 | 第57-58页 |
| ·准费米能级在禁带中的位置 | 第58-59页 |
| ·MOS结构的掺F氧化硅薄膜 | 第59页 |
| 第三节 本章小结 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-61页 |
| 第五章 结论和展望 | 第61-64页 |
| 附录 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |