| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-35页 |
| ·研究背景和意义 | 第12-14页 |
| ·ZnO 材料的结构和性质 | 第14-23页 |
| ·ZnO 的晶体结构 | 第14-16页 |
| ·ZnO 的电学性质 | 第16-19页 |
| ·ZnO 的光学性质 | 第19-23页 |
| ·ZnO 材料的生长方法 | 第23-30页 |
| ·ZnO 薄膜的制备 | 第23-26页 |
| ·ZnO 纳米结构的制备 | 第26-30页 |
| ·ZnO 材料的主要表征方法 | 第30-34页 |
| ·X 射线衍射仪（XRD） | 第30-31页 |
| ·光致发光 Photoluminescence (PL) | 第31-33页 |
| ·四探针法测试电阻 | 第33-34页 |
| ·本论文的主要工作 | 第34-35页 |
| 第2章 ZnO 材料的制备和表征 | 第35-52页 |
| ·一维 ZnO 纳米结构的生长 | 第35-46页 |
| ·实验装置和制备方法 | 第35-36页 |
| ·材料表征 | 第36-46页 |
| ·ZnO 薄膜的生长 | 第46-50页 |
| ·ZnO 薄膜的制备方法 | 第46页 |
| ·ZnO 薄膜的表征 | 第46-50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 第3章 基于 ZnO 纳米结构的电阻开关存储器 | 第52-88页 |
| ·引言 | 第52-76页 |
| ·非易丢失性存储器的种类 | 第52-61页 |
| ·电阻开关存储器的基本原理 | 第61-62页 |
| ·电阻开关随机存储器的分类 | 第62-70页 |
| ·ZnO 材料的电阻开关存储器 | 第70-76页 |
| ·基于 ZnO 纳米网络的电阻开关存储器 | 第76-84页 |
| ·研究背景 | 第76-77页 |
| ·实验步骤 | 第77-79页 |
| ·实验结果 | 第79-84页 |
| ·电阻开关存储器的前景 | 第84-87页 |
| ·本章小结 | 第87-88页 |
| 第4章 基于 ZnO 纳米棒的场电离气体探测器 | 第88-107页 |
| ·引言 | 第88-96页 |
| ·化学类型探测器 | 第88-92页 |
| ·物理类型探测器 | 第92-96页 |
| ·基于 ZnO 纳米棒的场电离类型气体探测器 | 第96-105页 |
| ·研究背景 | 第96-97页 |
| ·实验步骤 | 第97-100页 |
| ·实验结果 | 第100-105页 |
| ·本章小结 | 第105-107页 |
| 第5章 全文总结 | 第107-108页 |
| 参考文献 | 第108-121页 |
| 攻读博士期间已发表文章 | 第121-123页 |
| 致谢 | 第123页 |