| 中文摘要 | 第1-8页 |
| 英文摘要 | 第8-11页 |
| 第一章 综述 | 第11-15页 |
| ·分子电子学产生和发展 | 第11-12页 |
| ·分子电子学的研究现状 | 第12-13页 |
| ·本文的工作 | 第13-15页 |
| 第二章 密度泛函理论和自恰计算中基函数的选择 | 第15-29页 |
| ·量子化学的发展 | 第15-16页 |
| ·密度泛函理论 | 第16-24页 |
| ·Thomas-Fermi 模型 | 第16-18页 |
| ·Hohenberg-Kohn 定理 | 第18-20页 |
| ·Kohn-Sham 方程 | 第20-22页 |
| ·局域密度近似 | 第22-24页 |
| ·分子轨道的展开 | 第24-25页 |
| ·实际计算中基函数的选择 | 第25-29页 |
| ·Slater函数(STO) | 第25-26页 |
| ·Gauss函数(GTO) | 第26-27页 |
| ·Contracted Gauss Functions(CGTO) | 第27-29页 |
| 第三章 分子器件的伏安特性 | 第29-35页 |
| ·分子器件的电流与电导 | 第29-32页 |
| ·弹性散射格林函数方法 | 第32-35页 |
| 第四章 六元杂环分子电输运特性的研究 | 第35-45页 |
| ·研究对象和计算步骤 | 第35-36页 |
| ·结果讨论 | 第36-42页 |
| ·杂环分子 | 第36-40页 |
| ·终端原子 | 第40-42页 |
| ·小结 | 第42-45页 |
| 第五章 不同取向的1,8-辛二硫醇分子的伏安特性研究 | 第45-51页 |
| ·研究对象和计算步骤 | 第45-46页 |
| ·计算结果与讨论 | 第46-49页 |
| ·小结 | 第49-51页 |
| 第六章 总结 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 攻读硕士期间完成的论文 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59页 |