| 中文摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·课题研究背景 | 第7-8页 |
| ·谐振隧穿器件的国内外发展情况 | 第8-9页 |
| ·谐振隧穿器件的原理 | 第9-10页 |
| ·谐振隧穿器件的分类 | 第10-12页 |
| ·本论文的研究内容 | 第12-13页 |
| 第二章 RTT 器件结构设计和材料制备 | 第13-24页 |
| ·分子束外延（MBE）设备 | 第13-15页 |
| ·RTT 材料设计 | 第15-18页 |
| ·肖特基栅型共振隧穿三极管（SGRTT）的材料设计 | 第15-17页 |
| ·RTD 与HEMT 串联的RTT 材料设计 | 第17-18页 |
| ·RTT 版图设计 | 第18-21页 |
| ·RTT 工艺设计 | 第21-24页 |
| 第三章 RTT 的模拟与分析 | 第24-36页 |
| ·器件模拟的定义及意义 | 第24-28页 |
| ·器件模拟的定义 | 第24页 |
| ·器件模拟的意义 | 第24-25页 |
| ·ATLAS 器件模拟软件 | 第25-27页 |
| ·器件模拟要注意的问题 | 第27-28页 |
| ·肖特基栅共振隧穿三极管（SGRTT）器件模拟及分析 | 第28-34页 |
| ·肖特基栅共振隧穿三极管的原理 | 第28页 |
| ·肖特基栅共振隧穿三极管在模拟中的材料及版图设计 | 第28-29页 |
| ·肖特基栅共振隧穿三极管模拟结果 | 第29-34页 |
| ·发射极长度对器件特性的影响 | 第30-31页 |
| ·栅极金属到AlAs 势垒距离对器件特性的影响 | 第31-33页 |
| ·靠近势垒的n－GaAs 层浓度对器件特性的影响 | 第33-34页 |
| ·其他类型RTT 模拟与分析 | 第34-36页 |
| 第四章 RTT 的测试与分析 | 第36-46页 |
| ·肖特基栅型谐振隧穿三极管的直流测试 | 第36-40页 |
| ·刻槽型RTT 的直流测试 | 第36-38页 |
| ·自对准型RTT 的直流测试 | 第38-39页 |
| ·非自对准型RTT 的直流测试 | 第39-40页 |
| ·器件测试结果的分析 | 第40-44页 |
| ·同一芯片正反接法造成的I－V 特性曲线差异 | 第40-43页 |
| ·曲线VT值变化的分析 | 第43-44页 |
| ·谐振隧穿器件的频率测量 | 第44-46页 |
| 第五章 共振隧穿器件电路的研究 | 第46-53页 |
| ·MOBILE 电路单元 | 第46-51页 |
| ·MOBILE 电路单元的基本结构 | 第46-47页 |
| ·MOBILE 工作原理 | 第47-49页 |
| ·RTT 在MOBILE 电路中的应用 | 第49-51页 |
| ·RTD 和FET 串联构成的RTT 等效实验模型 | 第51-53页 |
| ·RTD 和FET 串联组成的等效实验模型（RTD 在漏端） | 第51-52页 |
| ·RTD 和FET 串联组成的等效实验模型（RTD 在源端） | 第52-53页 |
| 第六章 结束语 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-57页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第57-58页 |
| 发表的论文: | 第57页 |
| 参与的科研项目: | 第57-58页 |
| 附录 | 第58-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
