| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-10页 |
| 第一章 综述 | 第10-33页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·VO_x薄膜的制备方法 | 第11-21页 |
| ·SOL-GEL溶胶-凝胶法 | 第11-17页 |
| ·溶胶-凝胶法的工艺过程 | 第12-13页 |
| ·溶胶原理和溶胶制备 | 第13页 |
| ·凝胶原理及凝胶制备 | 第13-14页 |
| ·凝胶的干燥和热处理 | 第14页 |
| ·薄膜的附着类型和影响附着因素简述 | 第14-16页 |
| ·溶胶-凝胶薄膜制备工艺的应用 | 第16-17页 |
| ·其他制备VO_x薄膜的方法 | 第17-21页 |
| ·Vaccum Vaporation真空蒸镀法 | 第17页 |
| ·MBE分子束外延法 | 第17-18页 |
| ·Sputter溅射法 | 第18-19页 |
| ·CVD化学气相沉积法 | 第19-20页 |
| ·PLD脉冲激光沉积法 | 第20-21页 |
| ·五氧化二钒与二氧化钒薄膜材料 | 第21-30页 |
| ·V_2O_5薄膜性质及应用 | 第21-24页 |
| ·V_2O_5晶体结构 | 第21-22页 |
| ·V_2O_5的相变特性 | 第22页 |
| ·V_2O_5薄膜电学和光学性质 | 第22页 |
| ·V_2O_5薄膜应用前景 | 第22-24页 |
| ·VO_2薄膜性质及应用 | 第24-30页 |
| ·VO_2薄膜光电性质 | 第24-25页 |
| ·VO_2薄膜相变性质及原理 | 第25-28页 |
| ·二氧化钒的相变热力学性质 | 第28-29页 |
| ·VO_2薄膜应用前景 | 第29-30页 |
| ·国内外研究现状 | 第30-31页 |
| ·课题研究的意义及内容 | 第31-33页 |
| 第二章 实验探索及实验过程 | 第33-40页 |
| ·VO_x薄膜衬底的选择和处理 | 第33页 |
| ·衬底的选择 | 第33页 |
| ·基片的亲水处理 | 第33页 |
| ·实验原料及仪器设备 | 第33-34页 |
| ·实验过程 | 第34-37页 |
| ·V_2O_5溶胶制备方案的选择 | 第34页 |
| ·V_2O_5湿凝胶膜的镀膜方法选择 | 第34-36页 |
| ·湿凝胶膜的干燥和V_2O_5薄膜的制备 | 第36页 |
| ·VO_2薄膜的制备 | 第36-37页 |
| ·实验工艺流程图 | 第36-37页 |
| ·简易真空退火系统装置 | 第37页 |
| ·R-T曲线测试和VO_2薄膜电极的制备 | 第37-38页 |
| ·基于四探针法的微机自控R-T曲线测试系统 | 第37-38页 |
| ·VO_2薄膜电极的制备 | 第38页 |
| ·VO_2薄膜的厚度测试 | 第38-40页 |
| 第三章 结果与讨论 | 第40-64页 |
| ·VO_2薄膜XRD成分确定的标准 | 第40页 |
| ·由V_2O_5干凝胶膜直接制备VO_2薄膜样品的XRD分析 | 第40-41页 |
| ·由V_2O_5薄膜制备VO_2薄膜的样品分析 | 第41-43页 |
| ·VO_2单相薄膜的制备工艺研究 | 第43-47页 |
| ·不同退火工艺下展开的重现性对比实验 | 第43-47页 |
| ·溶胶-凝胶工艺中性能质量影响因素分析 | 第47-51页 |
| ·VO_x薄膜退火过程中的开裂、起皮和脱落问题分析 | 第47-49页 |
| ·薄膜厚度对相成分的影响 | 第49-50页 |
| ·退火温度对相成分的影响 | 第50-51页 |
| ·退火时间对相成分和晶粒生长的影响 | 第51页 |
| ·VO_2薄膜电学性能测试 | 第51-54页 |
| ·VO_2薄膜电阻-温度特性 | 第51-54页 |
| ·其它微观因素对薄膜电学性能影响的讨论 | 第54页 |
| ·薄膜的表面形貌 | 第54-58页 |
| ·VO_2薄膜组织形貌分析 | 第54-56页 |
| ·V_2O_5和VO_2薄膜显微组织形貌比较 | 第56-57页 |
| ·VO_2薄膜结晶取向定性分析 | 第57-58页 |
| ·紫外—可见光学性能测试分析 | 第58-61页 |
| ·V_2O_5薄膜的光学性能分析 | 第58-59页 |
| ·VO_2薄膜的光学性能分析 | 第59-61页 |
| ·单晶硅衬底上制膜工艺探索 | 第61-64页 |
| ·硅衬底上的XRD分析 | 第61-62页 |
| ·硅衬底上薄膜电阻温度特性 | 第62-64页 |
| 第四章 掺杂VO_2薄膜探索实验 | 第64-68页 |
| ·VO_2薄膜掺杂研究概述 | 第64-65页 |
| ·掺M_O元素的VO_2薄膜研究 | 第65-68页 |
| ·掺杂薄膜的XRD分析 | 第65-66页 |
| ·掺杂薄膜表面形貌 | 第66-67页 |
| ·掺杂薄膜电阻—温度特性研究 | 第67页 |
| ·M_O~(6+)降低电阻突变温度的机理探讨 | 第67-68页 |
| 第五章 结论 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-75页 |
| 附录 | 第75页 |