| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-28页 |
| ·自旋电子学研究进展 | 第8-10页 |
| ·Rashba 自旋轨道耦合效应和自旋过滤效应 | 第10-16页 |
| ·Rashba 自旋轨道耦合效应 | 第10-13页 |
| ·自旋过滤效应 | 第13-16页 |
| ·磁电阻效应的研究 | 第16-19页 |
| ·巨磁电阻效应 | 第16-18页 |
| ·隧穿磁电阻效应 | 第18-19页 |
| ·隧穿磁电阻的理论模型 | 第19-28页 |
| ·Julliere 的理论模型 | 第19-21页 |
| ·Slonczewski 的理论模型 | 第21-25页 |
| ·转移哈密顿量法 | 第25-28页 |
| 第二章 多层结构双自旋过滤隧道结中的电子输运特性 | 第28-41页 |
| ·引言 | 第28-29页 |
| ·理论模型 | 第29-35页 |
| ·数值结果与讨论 | 第35-39页 |
| ·FS 层和绝缘层厚度与隧穿磁电阻TMR 的关系 | 第35-37页 |
| ·在不同的磁矩相对夹角下自旋轨道耦合强度k R 对隧穿磁电阻TMR 和隧穿电导G (θ) 的影响 | 第37-39页 |
| ·小结 | 第39-41页 |
| 第三章 FM/S1/I/S2/FM 型异质结中 Rashba 自旋轨道耦合效应对隧穿磁电阻和隧穿系数的影响 | 第41-57页 |
| ·引言 | 第41-42页 |
| ·理论模型 | 第42-48页 |
| ·数值结果与讨论 | 第48-55页 |
| ·自旋轨道耦合效应的影响 | 第49-52页 |
| ·在不同的 Rashba 自旋轨道耦合强度下，半导体层厚度对隧穿磁电阻TMR 的影响 | 第52-55页 |
| ·小结 | 第55-57页 |
| 第四章 总结 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 在校期间的科研成果 | 第66页 |
