目录 | 第1-7页 |
摘要 | 第7-11页 |
ABSTRACT | 第11-17页 |
第一章 绪论 | 第17-37页 |
·立题背景和意义 | 第17-19页 |
·二硼化镁超导体研究现状 | 第19-29页 |
·二硼化镁晶体结构 | 第19-20页 |
·二硼化镁超导机制 | 第20-22页 |
·二硼化镁研究尚存在的问题 | 第22-23页 |
·二硼化镁单晶的生长 | 第23-27页 |
·密封法单晶生长 | 第24-26页 |
·高压法单晶生长 | 第26-27页 |
·二硼化镁单晶生长的困难与问题 | 第27-29页 |
·本论文的主要研究内容 | 第29-30页 |
参考文献 | 第30-37页 |
第二章 自熔剂降温法MgB_2单晶生长及微结构研究 | 第37-63页 |
·引言 | 第37-38页 |
·实验的准备 | 第38页 |
·实验试剂和仪器 | 第38-39页 |
·实验试剂 | 第38-39页 |
·实验仪器 | 第39页 |
·晶体生长过程 | 第39-40页 |
·结果和讨论 | 第40-47页 |
·XRD表征 | 第40-42页 |
·SEM表征 | 第42-43页 |
·HRTEM表征 | 第43-47页 |
·MgB_2晶体微结构的研究 | 第47-58页 |
·实验的准备 | 第47-48页 |
·实验的结果和讨论 | 第48-51页 |
·MgB_2晶体内应变 | 第48-49页 |
·SQUID表征 | 第49-51页 |
·MgB_2晶体微结构分析 | 第51-58页 |
·刃位错 | 第53-55页 |
·自有序超结构 | 第55-57页 |
·不全位错 | 第57-58页 |
·小结 | 第58-60页 |
参考文献 | 第60-63页 |
第三章 蒸发熔剂进行MgB_2单晶生长 | 第63-93页 |
·引言 | 第63-64页 |
·实验的准备 | 第64-65页 |
·晶体生长过程 | 第65-67页 |
·实验的结果和讨论 | 第67-74页 |
·XRD表征 | 第67-68页 |
·扫描电镜表征 | 第68-71页 |
·SQUID表征 | 第71-73页 |
·HRTEM表征 | 第73-74页 |
·MgB_2晶体生长机制 | 第74-78页 |
·MgB_2晶体的解离 | 第78-81页 |
·MgB_2晶体的负晶结构 | 第81-82页 |
·MgB_2晶体的微观生长结构 | 第82-84页 |
·MgB_2晶体的表面形貌与生长机理 | 第84-90页 |
·直线台阶 | 第84-86页 |
·柱状突起 | 第86-87页 |
·生长台阶 | 第87-90页 |
·小结 | 第90-92页 |
参考文献 | 第92-93页 |
第四章 低熔点合金助熔剂法MgB_2单晶生长 | 第93-102页 |
·引言 | 第93-94页 |
·MgB_2晶体生长过程 | 第94-95页 |
·实验的结果和讨论 | 第95-98页 |
·XRD表征 | 第95-96页 |
·扫描电镜表征 | 第96-97页 |
·SQUID表征 | 第97-98页 |
·MgB_4的低温磁性质 | 第98-100页 |
·MgB_4的合成 | 第98-99页 |
·MgB_4的低温磁性质 | 第99-100页 |
·实验中的新发现 | 第100页 |
·小结 | 第100-101页 |
参考文献 | 第101-102页 |
第五章 Li_(0.4)Ni_(1.6)O_2的合成与低温磁性能研究 | 第102-111页 |
·超导体的结构及共性 | 第102-106页 |
·Li_(0.4)Ni_(1.6)O_2的合成及低温磁性质 | 第106-108页 |
·Li_(0.4)Ni_(1.6)O_2的合成及结构参数 | 第107页 |
·Li_(0.4)Ni_(1.6)O_2的低温磁性质 | 第107-108页 |
·小结 | 第108-109页 |
参考文献 | 第109-111页 |
第六章 主要结论及有待深入研究的问题 | 第111-115页 |
·主要结论 | 第111-112页 |
·本论文工作的主要创新点 | 第112-113页 |
·有待深入研究的问题 | 第113-115页 |
附表1 | 第115-116页 |
附表2 | 第116-117页 |
附表3 | 第117-118页 |
致谢 | 第118-119页 |
攻读博士学位期间发表及拟发表的学术论文 | 第119-121页 |
学位论文评阅及答辩情况表 | 第121页 |