第一章 聚酰亚胺与介电材料 | 第1-42页 |
·引言 | 第14-15页 |
·聚酰亚胺的性能 | 第15-17页 |
·聚酰亚胺的合成方法 | 第17-32页 |
·典型的二酐和二胺二步法反应形成聚酰胺酸 | 第17-18页 |
·一步法合成聚酰亚胺 | 第18-19页 |
·聚酰胺酯路线法 | 第19-21页 |
·聚酰胺酯的合成 | 第20-21页 |
·聚酰胺酯的热酰亚胺化 | 第21页 |
·缩聚聚酰亚胺的其他合成方法 | 第21-23页 |
·由二酐和二异氰酸酯反应获得聚酰亚胺 | 第21-22页 |
·由二酐的二氰基甲叉衍生物与二胺在低温下反应生成聚酰亚胺 | 第22页 |
·以N-三甲基硅代二胺和二酐反应合成聚酰亚胺 | 第22-23页 |
·聚酰胺酸的合成机理 | 第23-24页 |
·单体和反应条件对聚酰胺酸合成的影响 | 第24页 |
·单体的结构和活性 | 第24-26页 |
·反应条件的影响 | 第26-27页 |
·聚酰胺酸的降解过程 | 第27页 |
·形成聚酰胺酸的反应动力学 | 第27-29页 |
·热酰亚胺化反应 | 第29-30页 |
·酰亚胺化程度的测定 | 第30-32页 |
·微电子封装中用聚酰亚胺 | 第32-37页 |
·多芯片模块(MCM)用层间材料 | 第32-34页 |
·聚酰亚胺的制图工艺 | 第34-37页 |
·聚合物、聚酰亚胺的介电机理与性能 | 第37-42页 |
·介电常数 | 第37-40页 |
·介电损耗 | 第40页 |
·影响相对介电常数和介质损耗角的主要外界因素 | 第40-42页 |
第二章 聚酰亚胺杂化膜和纳米复合膜及课题的提出 | 第42-53页 |
·由溶胶—凝胶法制备聚酰亚胺/SiO_2杂化膜 | 第42-47页 |
·相容性的聚酰亚胺杂化膜的制备 | 第43-44页 |
·聚酰亚胺杂化膜作为介电材料的用途 | 第44页 |
·杂化膜的制备方法:溶胶—凝胶法 | 第44-47页 |
·正硅酸酯水解缩聚反应 | 第45-46页 |
·缩聚反应 | 第46-47页 |
·聚酰亚胺纳米复合膜 | 第47-51页 |
·纳米复合膜的特性 | 第47页 |
·纳米二氧化硅粒子的性质 | 第47-48页 |
·纳米粒子的分散原理 | 第48-49页 |
·纳米粒子的浸湿 | 第48页 |
·纳米粒子的团聚与分散 | 第48-49页 |
·纳米粒子的分散技术 | 第49-51页 |
·物理分散 | 第49页 |
·化学方法分散 | 第49-51页 |
·课题的提出及意义 | 第51-53页 |
第三章 实验部分 | 第53-64页 |
·主要化学原料 | 第53-54页 |
·主要试剂 | 第53-54页 |
·原料的精制 | 第54-56页 |
·溶剂N,N’-二甲基乙酰胺(DMAc)的精制 | 第54页 |
·单体的精制 | 第54-55页 |
·单体的精制 | 第55-56页 |
·二胺类 | 第55-56页 |
·二酐类 | 第56页 |
·主要仪器 | 第56-57页 |
·聚酰亚胺/SiO_2杂化膜的制备 | 第57-62页 |
·PMDA-ODA聚酰亚胺/二氧化硅杂化膜的制备 | 第58-59页 |
·聚酰胺酸的制备 | 第58页 |
·聚酰胺酸/二氧化硅溶胶的制备 | 第58页 |
·涂膜 | 第58-59页 |
·聚酰亚胺/二氧化硅杂化膜的亚胺化 | 第59页 |
·二氧化硅空白样品的制备 | 第59页 |
·聚酰亚胺杂化膜中二氧化硅体积分数的计算 | 第59页 |
·PMDA-MDA,BTDA类聚酰亚胺/SiO_2杂化膜的制备 | 第59-60页 |
·BTDA-ODA聚酰胺酸的制备 | 第59-60页 |
·BTDA-MDA聚酰胺酸的制备 | 第60页 |
·BTDA-PDA聚酰胺酸的制备 | 第60页 |
·PMDA-MDA聚酰胺酸的制备 | 第60页 |
·聚酰胺酸/二氧化硅溶胶的制备 | 第60页 |
·涂膜 | 第60页 |
·聚酰亚胺/二氧化硅杂化膜的亚胺化 | 第60页 |
·聚酰亚胺/二氧化硅纳米复合膜的制备 | 第60-62页 |
·纳米二氧化硅的处理 | 第60-61页 |
·聚酰亚胺/二氧化硅纳米复合膜的制备 | 第61-62页 |
·聚酰胺酸的合成 | 第61页 |
·纳米二氧化硅的分散 | 第61页 |
·聚酰胺酸/二氧化硅溶液的制备 | 第61页 |
·溶液浇铸法制备聚酰胺酸/二氧化硅薄膜 | 第61页 |
·聚酰亚胺/二氧化硅(PI/SiO_2)纳米复合膜的亚胺化 | 第61-62页 |
·聚酰亚胺二氧化硅纳米复合膜中二氧化硅体积分数的计算 | 第62页 |
·粉末二氧化硅介电常数的测量 | 第62页 |
·样品表证 | 第62-64页 |
·ATR-FTIR分析 | 第62页 |
·XRD分析 | 第62页 |
·原子力显微镜(AFM) | 第62页 |
·热失重分析(TGA) | 第62-63页 |
·介电分析 | 第63页 |
·透射电镜 | 第63页 |
·力学分析 | 第63-64页 |
第四章 溶胶—凝胶法制备聚酰亚胺/SiO_2杂化膜的结构与性能表证 | 第64-82页 |
·溶胶—凝胶法制备聚酰亚胺/SiO_2杂化膜亚胺化中的化学变化与结构 | 第64-70页 |
·PMDA-ODA聚酰亚胺/SiO_2杂化膜的化学结构 | 第64-66页 |
·PMDA-MDA、BTDA类聚酰亚胺/SiO_2杂化膜的化学结构 | 第66-70页 |
·BTDA类聚酰亚胺/SiO_2杂化膜的ATR-FTIR光谱分析 | 第66页 |
·PMDA-MDA聚酰亚胺/SiO_2杂化膜的ATR-FTIR光谱分析 | 第66-70页 |
·溶胶—凝胶法制备聚酰亚胺/SiO_2杂化膜的热性能 | 第70-75页 |
·PMDA-ODA聚酰亚胺/SiO_2杂化膜的热稳定性 | 第70-73页 |
·PMDA-MDA PI,BTDA类聚酰亚胺/SiO_2杂化膜的热稳定性 | 第73-74页 |
·PMDA-ODA聚酰亚胺/SiO_2杂化膜的热性能分析 | 第74-75页 |
·溶胶—凝胶法制备聚酰亚胺/SiO_2杂化膜的结构 | 第75-79页 |
·PMDA-ODA聚酰亚胺/SiO_2杂化膜的内部结构 | 第75-76页 |
·溶胶—凝胶法制备聚酰亚胺/SiO_2杂化膜硅凝胶的结构 | 第76-78页 |
·PMDA-ODA聚酰亚胺/SiO_2杂化膜的表面形貌 | 第78-79页 |
·溶胶—凝胶法制备PMDA-ODA聚酰亚胺/SiO_2杂化膜力学性能 | 第79-80页 |
·溶胶-凝胶法制备PMDA-ODA PI/SiO_2杂化膜中的结构有序性 | 第80-82页 |
第五章 聚酰亚胺/SiO_2纳米复合膜的制备、结构和性能 | 第82-89页 |
·聚酰亚胺/二氧化硅纳米复合膜化学结构 | 第82-84页 |
·硅烷偶联剂处理的纳米二氧化硅粒子的化学结构 | 第82-83页 |
·共混法制备聚酰亚胺/二氧化硅纳米复合膜的化学结构 | 第83-84页 |
·共混法制备聚酰亚胺/SiO_2纳米复合膜的热性能 | 第84-87页 |
·纳米SiO_2粒子在聚酰亚胺/SiO_2复合膜的分散结构 | 第87-89页 |
第六章 聚酰亚胺二氧化硅复合体系介电性能的研究 | 第89-102页 |
·溶胶—凝胶法制备聚酰亚胺/二氧化硅杂化膜的介电性能 | 第89-95页 |
·聚酰亚胺/二氧化硅杂化膜的体积含量与介电性能的关系 | 第89-92页 |
·PMDA-ODA聚酰亚胺/二氧化硅杂化膜的介电性能的频率特性 | 第92-93页 |
·PMDA-ODA聚酰亚胺/二氧化硅杂化膜的介电性能的温度特性 | 第93-95页 |
·共混法制备聚酰亚胺/纳米二氧化硅复合膜的介电性能研究 | 第95-102页 |
·聚酰亚胺/SiO_2纳米复合膜介电性能与SiO_2含量的关系 | 第95-96页 |
·PMDA-ODA聚酰亚胺/二氧化硅纳米复合膜介电性能的频率特性 | 第96-98页 |
·PMDA-ODA聚酰亚胺/二氧化硅纳米复合膜的温度特性 | 第98-100页 |
·PMDA-ODA聚酰亚胺/SiO_2纳米复合膜介电性能的界面特性 | 第100-102页 |
第七章 聚酰亚胺/SiO_2复合材料介电模型分析 | 第102-119页 |
·介电模型及其对溶胶-凝胶法制备聚酰亚胺杂化膜的介电常数的拟合 | 第102-109页 |
·并联和串联方程 | 第102-104页 |
·对数混联方程 | 第104-105页 |
·Maxwell方程 | 第105-106页 |
·Bruggeman方程 | 第106-107页 |
·EMT方程 | 第107-108页 |
·经验模型 | 第108-109页 |
·溶胶-凝胶法制备聚酰亚胺/SiO_2杂化膜介电常数的经验模型计算 | 第109-113页 |
·共混法聚酰亚胺/二氧化硅纳米复合膜的介电常数与介电模型 | 第113-116页 |
·并联模型和串联模型 | 第113页 |
·对数混合模型 | 第113-115页 |
·Bruggeman模型和Maxwell模型 | 第115-116页 |
·计算共混法制备聚酰亚胺纳米复合膜的介电常数的改进模型 | 第116-119页 |
主要结论 | 第119-121页 |
论文研究中的创新 | 第121-122页 |
参考文献 | 第122-134页 |
已收录文章 | 第134-135页 |
致谢 | 第135页 |