电子束蒸发制备AZO薄膜的光电性能研究
| 第一章 引言 | 第1-20页 |
| ·功能薄膜的发展现状 | 第8-12页 |
| ·透明导电薄膜的制备方法 | 第12-17页 |
| ·透明导电薄膜的应用前景与发展展望 | 第17-18页 |
| ·本研究课题的提出及研究目的 | 第18-19页 |
| ·论文工作构思及主要工作任务 | 第19-20页 |
| 第二章 半导体薄膜基础 | 第20-39页 |
| ·典型氧化物的结构 | 第20-24页 |
| ·沉积工艺因素对薄膜结构的影响 | 第24-28页 |
| ·薄膜的晶体结构 | 第25-26页 |
| ·薄膜的纤维结构 | 第26-27页 |
| ·薄膜的晶粒组织和表面形态 | 第27-28页 |
| ·半导体物理基础 | 第28-33页 |
| ·半导体能带和载流子 | 第29-31页 |
| ·载流子的迁移 | 第31-33页 |
| ·薄膜特有的电学性质 | 第33-34页 |
| ·AZO薄膜导电机理 | 第34-37页 |
| ·化学剂量比的偏离 | 第34-36页 |
| ·薄膜的杂质缺陷 | 第36-37页 |
| ·AZO薄膜最佳掺杂量计算 | 第37-39页 |
| 第三章 薄膜结构和性能的测试 | 第39-49页 |
| ·X射线衍射分析原理和仪器 | 第39-41页 |
| ·扫描电镜工作原理和仪器构造 | 第41-43页 |
| ·分光光度计测薄膜的透射率 | 第43-45页 |
| ·薄膜电学性能的测量 | 第45-49页 |
| ·四探针测量薄膜的电阻率 | 第45-46页 |
| ·霍尔效应的测量 | 第46-49页 |
| 第四章 薄膜的制备 | 第49-62页 |
| ·真空电子束蒸发法制备薄膜 | 第49-51页 |
| ·薄膜的厚度和沉积速率的测量 | 第51-54页 |
| ·多光束干涉法 | 第52-53页 |
| ·石英晶体振荡法 | 第53-54页 |
| ·AZO薄膜的制备 | 第54-59页 |
| ·实验的安排 | 第54-56页 |
| ·基片的清洗 | 第56-57页 |
| ·薄膜样品的制备 | 第57-59页 |
| ·实验结果 | 第59-62页 |
| 第五章 AZO薄膜的XRD研究 | 第62-80页 |
| ·膜厚对AZO薄膜的晶体结构的影响 | 第62-65页 |
| ·基片温度对AZO薄膜的晶体结构的影响 | 第65-67页 |
| ·沉积速率对AZO薄膜的晶体结构的影响 | 第67-69页 |
| ·掺杂量对AZO薄膜的晶体结构的影响 | 第69-73页 |
| ·热处理环境对AZO薄膜的晶体结构的影响 | 第73-78页 |
| ·工艺因素优选 | 第78-80页 |
| 第六章 总结 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-87页 |
| 附表1 | 第87-88页 |
