| 第一章 绪 论 | 第1-17页 |
| ·场发射平板显示器件 | 第8-10页 |
| ·场发射平板显示器的特点 | 第8页 |
| ·场发射平板显示原理和结构 | 第8-9页 |
| ·场致发射显示的技术优势 | 第9-10页 |
| ·微尖阵列场发射阴极(FEA) | 第10-12页 |
| ·金属微尖阵列场发射阴极 | 第10-11页 |
| ·微尖发射的特点 | 第11页 |
| ·发射体几何参数的影响 | 第11-12页 |
| ·发射体材料的影响 | 第12页 |
| ·纳米管场发射显示器件 | 第12-13页 |
| ·CNT的场发射机制 | 第13页 |
| ·发展新型FED的必要性 | 第13-14页 |
| ·论文的选题及主要工作 | 第14-15页 |
| ·参考文献 | 第15-17页 |
| 第二章 场发射机理 | 第17-26页 |
| ·场致发射机理 | 第17-22页 |
| ·表面势垒与电子发射 | 第17页 |
| ·金属场致发射公式的推导 | 第17-20页 |
| ·温度对场致发射的影响 | 第20页 |
| ·福勒－诺德海姆公式的精确性 | 第20-21页 |
| ·半导体场致发射 | 第21-22页 |
| ·内场致发射【13】 | 第22页 |
| ·场致发射电子的能量分布和Nottingham效应 | 第22-24页 |
| ·空间电荷效应 | 第24页 |
| ·参考文献 | 第24-26页 |
| 第三章 二次电子发射机理 | 第26-33页 |
| ·金属的二次电子发射 | 第26-29页 |
| ·二次电子发射数量 | 第26-28页 |
| ·二次发射系数 的测量 | 第28-29页 |
| ·二次电子发射与入射角 的关系 | 第29页 |
| ·半导体、绝缘体的二次电子发射 | 第29-30页 |
| ·二次电子发射的物理过程 | 第30-32页 |
| ·参考文献 | 第32-33页 |
| 第四章 模拟方法 | 第33-39页 |
| ·考虑电荷积累的模拟方法 | 第33页 |
| ·模拟软件SELOP【1】 | 第33页 |
| ·电子与绝缘体壁的相互作用 | 第33-34页 |
| ·模拟计算中的输入输出因子 | 第34-37页 |
| ·Monte Carlo方法 | 第37页 |
| ·参考文献 | 第37-39页 |
| 第五章 考虑电荷积累的场发射中二次电子研究 | 第39-47页 |
| ·空间电荷积累效应 | 第39页 |
| ·模拟模型 | 第39-41页 |
| ·模型结构 | 第39-40页 |
| ·模拟方法 | 第40-41页 |
| ·结果和讨论 | 第41-45页 |
| ·结论 | 第45页 |
| ·参考文献 | 第45-47页 |
| 第六章 场发射中基于二次电子发射的离子轰击 | 第47-56页 |
| ·场发射中离子轰击的影响 | 第47页 |
| ·离子与表面的相互作用 | 第47-49页 |
| ·模拟模型 | 第49-51页 |
| ·模型结构 | 第49-50页 |
| ·模拟初始条件 | 第50-51页 |
| ·模拟方法 | 第51页 |
| ·结果和讨论 | 第51-54页 |
| ·电子轨迹和等位线分布 | 第51-53页 |
| ·离子轰击对阴极的破坏 | 第53-54页 |
| ·结论 | 第54页 |
| ·参考文献 | 第54-56页 |
| 第七章 场发射中二次电子能量分布的研究 | 第56-70页 |
| ·二次电子能量的研究 | 第56-58页 |
| ·二次电子能量分布 | 第56-57页 |
| ·二次电子能量分析仪器 | 第57-58页 |
| ·场致发射器件中二次电子能量分布的研究 | 第58-69页 |
| ·实验装置 | 第58-59页 |
| ·模拟模型结构 | 第59页 |
| ·模拟计算的初始条件 | 第59-60页 |
| ·结果和讨论 | 第60-68页 |
| ·结论 | 第68-69页 |
| ·参考文献 | 第69-70页 |
| 第八章 结束语 | 第70-71页 |
| 致 谢 | 第71页 |