多热源工业合成SiC新技术节能提质优化理论与应用
| 1 绪论 | 第1-17页 |
| ·碳化硅材料及其应用 | 第8页 |
| ·国内外研究现状与发展趋势 | 第8-12页 |
| ·研究背景及研究意义 | 第12-13页 |
| ·研究目标和研究方法 | 第13页 |
| ·研究内容及研究思路 | 第13-15页 |
| ·典型部位的温度测量 | 第13-14页 |
| ·多热源炉传热学分析及数学模型的建立 | 第14页 |
| ·多热源炉传热传质规律研究 | 第14页 |
| ·多热源炉基本工艺参数的确定 | 第14-15页 |
| ·炉芯数目判定模型 | 第15页 |
| ·技术路线 | 第15-17页 |
| 2 实验 | 第17-25页 |
| ·合成实验 | 第17-19页 |
| ·原料 | 第17-18页 |
| ·多热源合成炉 | 第18-19页 |
| ·工艺流程 | 第19页 |
| ·测温实验 | 第19-21页 |
| ·利用红外光谱测温仪测温 | 第20页 |
| ·利用示性物质测温 | 第20-21页 |
| ·测温结果与讨论 | 第21-23页 |
| ·红外光谱测温仪测温结果与分析 | 第21-22页 |
| ·利用示性物质测温结果 | 第22-23页 |
| ·ANSYS模拟与炉内温度预测 | 第23-24页 |
| ·本章小结 | 第24-25页 |
| 3 碳化硅合成炉温度场数值计算模型的建立 | 第25-45页 |
| ·碳化硅合成炉的数学模型 | 第25-34页 |
| ·碳化硅合成炉的基本方程 | 第25-26页 |
| ·几何条件 | 第26页 |
| ·物理条件 | 第26-31页 |
| ·时间条件 | 第31-32页 |
| ·边界条件 | 第32-34页 |
| ·有限单元法在碳化硅合成炉温度场数值计算中的应用 | 第34-44页 |
| ·平面温度场“变分”方程的推导 | 第35-37页 |
| ·平面温度场在三角形六节点等参单元中的离散 | 第37-44页 |
| ·时间项的处理方法 | 第44页 |
| ·有限单元法的总体合成 | 第44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 4 多热源炉温度场的传热传质规律研究 | 第45-55页 |
| ·单个热源对总体温度场的贡献 | 第45-47页 |
| ·炉体中心点温度变化规律 | 第47-48页 |
| ·中心线L的温度分布 | 第48-49页 |
| ·温度梯度变化规律及结晶筒的生长过程 | 第49-51页 |
| ·热流强度的变化规律 | 第51-52页 |
| ·多热源炉合成产物的形成规律及节能提质效果 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 5 多热源炉基本工艺参数的确定 | 第55-76页 |
| ·保温层厚度与结晶层厚度之间的关系 | 第55-60页 |
| ·表面负荷的确定 | 第60-64页 |
| ·供电时间对产品产量和产品质量的影响 | 第64-69页 |
| ·炉芯的基本尺寸 | 第69-75页 |
| ·本章小结 | 第75-76页 |
| 6 炉芯数目判定模型 | 第76-93页 |
| ·炉芯数目与炉芯排列形式 | 第76-85页 |
| ·炉芯数目的判定模型 | 第85-92页 |
| ·本章小结 | 第92-93页 |
| 7 结 论 | 第93-94页 |
| 致 谢 | 第94-95页 |
| 参考文献 | 第95-99页 |
| 附录 | 第99页 |
