| 第一章 绪论 | 第1-24页 |
| ·概述 | 第11-12页 |
| ·雷达隐身原理 | 第12-14页 |
| ·外形设计隐身 | 第12-13页 |
| ·雷达吸波材料隐身 | 第13-14页 |
| ·雷达吸波材料基本形式 | 第14-16页 |
| ·吸收型吸波材料 | 第14-15页 |
| ·干涉型吸波材料 | 第15-16页 |
| ·吸波材料研究现状 | 第16-18页 |
| ·涂覆型吸波材料 | 第16-17页 |
| ·结构吸波材料 | 第17-18页 |
| ·高温吸波材料研究进展 | 第18-23页 |
| ·高温吸收剂研究进展 | 第18-19页 |
| ·纳米SiC粉体吸收剂的研究和发展 | 第19页 |
| ·高温吸波材料研究现状 | 第19-20页 |
| ·高温吸波材料研究中存在的问题 | 第20页 |
| ·高温吸波材料基体的选择依据 | 第20-21页 |
| ·莫来石和堇青石研究现状 | 第21-23页 |
| ·本课题选题依据与研究内容 | 第23-24页 |
| 第二章 实验和测试方法 | 第24-30页 |
| ·主要实验研究过程 | 第24页 |
| ·实验用原料 | 第24-25页 |
| ·溶胶-凝胶制备莫来石粉末所用原料 | 第25页 |
| ·溶胶-凝胶法制备MAS粉末所用原料 | 第25页 |
| ·热压反应烧结MAS陶瓷所用原料 | 第25页 |
| ·热压烧结Si_3N_4-Si／C／N复合材料所用原料 | 第25页 |
| ·Si／C／N吸收剂 | 第25页 |
| ·试样的制备及所用设备 | 第25-27页 |
| ·粉体的制备 | 第26页 |
| ·试样的烧结 | 第26-27页 |
| ·无压烧结 | 第26页 |
| ·热压烧结 | 第26-27页 |
| ·致密度测量 | 第27-29页 |
| ·相组成和显微结构分析 | 第29页 |
| ·相组成分析 | 第29页 |
| ·显微结构分析 | 第29页 |
| ·热分析 | 第29页 |
| ·室温电磁参数测试 | 第29-30页 |
| 第三章 莫来石及莫来石-Si／C／N复合材料的制备工艺 | 第30-44页 |
| ·莫来石陶瓷的性能 | 第30-31页 |
| ·莫来石先驱体粉末的制备工艺 | 第31-38页 |
| ·Al粉-TEOS法制备莫来石先驱体粉末 | 第31-34页 |
| ·实验方法 | 第31-32页 |
| ·Al粉-TEOS法莫来石先驱体粉末粉体特性分析 | 第32-34页 |
| ·硫酸铝-硅溶胶法制备莫来石先驱体粉末 | 第34-38页 |
| ·实验方法 | 第34-35页 |
| ·硫酸铝-硅溶胶法莫来石先驱体粉末粉体特性分析 | 第35-38页 |
| ·莫来石先驱体粉末的烧结 | 第38-42页 |
| ·热压烧结 | 第38页 |
| ·莫来石先驱体粉末的热压烧结工艺 | 第38-40页 |
| ·莫来石-Si／C／N复合材料热压烧结工艺 | 第40-42页 |
| ·本章小结 | 第42-44页 |
| 第四章 莫来石及莫来石-Si／C／N复合材料的介电特性 | 第44-58页 |
| ·陶瓷材料的介电特性 | 第44-46页 |
| ·陶瓷材料介电常数的定义 | 第44页 |
| ·陶瓷材料的介电损耗与复介电常数 | 第44-46页 |
| ·莫来石陶瓷的介电特性 | 第46页 |
| ·莫来石-Si／C／N复合材料的介电特性 | 第46-47页 |
| ·烧结工艺对莫来石-Si／C／N复合材料介电特性的影响 | 第47-57页 |
| ·温度对莫来石-Si／C／N复合材料介电特性的影响 | 第47-49页 |
| ·烧结时间对莫来石-Si／C／N复合材料介电特性的影响 | 第49-50页 |
| ·吸收剂含量对莫来石Si／C／N复合材料介电特性的影响 | 第50-51页 |
| ·莫来石-Si／C／N复合材料介电常数的有效媒质公式计算 | 第51-55页 |
| ·有效媒质理论 | 第52-53页 |
| ·Si／C／N纳米粉的介电常数 | 第53-54页 |
| ·莫来石基体的介电常数 | 第54页 |
| ·有效媒质公式计算结果 | 第54-55页 |
| ·莫来石-Si／C／N复合材料的介电常数与Si／C／N含量的关系 | 第55-57页 |
| ·ε′与Si／C／N含量的关系 | 第55-56页 |
| ·ε″与Si／C／N含量的关系 | 第56-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 MAS-Si／C／N复合材料的制备及介电性能 | 第58-71页 |
| ·MAS陶瓷的性能 | 第58页 |
| ·MAS及MAS-Si／C／N复合材料的制备 | 第58-65页 |
| ·热压反应烧结制备MAS及MAS-Si／C／N复合材料 | 第58-61页 |
| ·料体制备 | 第58-59页 |
| ·烧结 | 第59-61页 |
| ·溶胶-凝胶法制备MAS粉末及其烧结性能研究 | 第61-65页 |
| ·实验方法 | 第61-63页 |
| ·MAS先驱体粉末粉体特性 | 第63-65页 |
| ·MAS先驱体粉末的烧结特性 | 第65页 |
| ·MAS及MAS-Si／C／N复合材料的介电性能 | 第65-70页 |
| ·MAS陶瓷的介电性能 | 第65-66页 |
| ·烧结工艺对热压反应烧结MAS-Si／C／N复合材料的介电特性的影响 | 第66-68页 |
| ·烧结温度的影响 | 第66-67页 |
| ·烧结时间的影响 | 第67-68页 |
| ·Si／C／N吸收剂含量与MAS-Si／C／N复合材料的介电特性 | 第68-70页 |
| ·吸收剂含量对复合材料介电性能的影响 | 第68-69页 |
| ·吸收剂含最与MAS-Si／C／N复合材料的介电常数的关系 | 第69-70页 |
| ·本章小结 | 第70-71页 |
| 第六章 Si_3N_4-Si／C／N复合材料的制备及介电性能 | 第71-78页 |
| ·Si_3N_4-Si／C／N复合材料的制备 | 第71-73页 |
| ·添加剂的选择 | 第71页 |
| ·Si_3N_4-Si／C／N复合材料的烧结 | 第71-73页 |
| ·Si_3N_4-Si／C／N复合材料的介电性能 | 第73-74页 |
| ·Si／C／N纳米粉含量对Si_3N_4-Si／C／N复合材料介电性能的影响 | 第74-75页 |
| ·Si_3N_4-Si／C／N复合材料与莫来石-Si／C／N、MAS-Si／C／N复合材料介电性能的比较 | 第75-76页 |
| ·本章小结 | 第76-78页 |
| 第七章 结论 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-83页 |
| 致谢 | 第83-84页 |
