| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-10页 |
| 第一章 微电子封装及其防潮薄膜技术概述 | 第10-38页 |
| ·微电子封装技术简介 | 第10-17页 |
| ·微电子封装的定义 | 第11-12页 |
| ·微电子封装的级别 | 第12-16页 |
| ·芯片级互连 | 第13页 |
| ·一级封装 | 第13-14页 |
| ·二级封装 | 第14-15页 |
| ·芯片直接贴装于印刷电路板 | 第15-16页 |
| ·电子封装的发展趋势 | 第16-17页 |
| ·水汽对电子封装可靠性的影响 | 第17-22页 |
| ·腐蚀失效 | 第18-19页 |
| ·分层和开裂 | 第19-21页 |
| ·水汽的来源 | 第21-22页 |
| ·水汽防护技术简介 | 第22-34页 |
| ·敷形涂层技术 | 第22-26页 |
| ·敷形涂层的分类 | 第22-23页 |
| ·敷形涂层的涂敷方法 | 第23-25页 |
| ·敷形涂层的固化方法 | 第25-26页 |
| ·等离子体增强化学气相沉积方法简介 | 第26-30页 |
| ·等离子体的形成 | 第26-28页 |
| ·直流辉光放电 | 第26-27页 |
| ·射频放电 | 第27-28页 |
| ·高密度等离子体 | 第28页 |
| ·等离子体用于化学气相沉积 | 第28-30页 |
| ·已有的防潮技术应用报导 | 第30-34页 |
| ·本论文的研究目的和内容 | 第34-35页 |
| 参考文献 | 第35-38页 |
| 第二章 实验原理与实验方法 | 第38-54页 |
| ·PECVD薄膜的制备工艺及设备 | 第38-41页 |
| ·PECVD设备介绍 | 第38-39页 |
| ·沉积参数对PECVD氮化硅薄膜性质的影响 | 第39-41页 |
| ·PECVD薄膜性质的表征 | 第41-43页 |
| ·薄膜的折射率、厚度、均匀性、沉积速率 | 第41-42页 |
| ·薄膜的密度 | 第42页 |
| ·薄膜的化学键构象 | 第42-43页 |
| ·薄膜的化学成分 | 第43页 |
| ·薄膜在水汽中的化学稳定性 | 第43页 |
| ·镀层防潮性能的测定 | 第43-46页 |
| ·水汽渗透实验(WVP) | 第43-44页 |
| ·湿度传感器法 | 第44-46页 |
| ·可靠性实验 | 第46-50页 |
| ·高温高湿实验 | 第47-48页 |
| ·温度循环实验 | 第48-49页 |
| ·水汽敏感性实验 | 第49-50页 |
| ·常用检测技术简介 | 第50-52页 |
| ·高频超声扫描显微镜检测法(C-SAM) | 第50-51页 |
| ·x-射线方法(soft x-ray imaging) | 第51-52页 |
| ·金相实验 | 第52页 |
| ·扫描电子显微镜方法 | 第52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
| 第三章 有机／无机双层膜防潮技术的实验研究 | 第54-76页 |
| ·引言 | 第54-55页 |
| ·有机敷形涂层材料的选择 | 第55-57页 |
| ·无机薄膜材料的选择 | 第57-61页 |
| ·无机防潮薄膜简介 | 第57-60页 |
| ·PECVD氮化硅、碳化硅薄膜防潮性能比较研究 | 第60-61页 |
| ·PEN膜上WVP实验 | 第60-61页 |
| ·TQFP封装的湿度传感器上的水汽扩散实验 | 第61页 |
| ·有机／无机双层膜防潮技术的工艺优化 | 第61-70页 |
| ·硅酮涂层工艺的优化 | 第61-63页 |
| ·SiNx沉积工艺的优化 | 第63-68页 |
| ·大面积沉积的均匀性 | 第64页 |
| ·高温高湿环境的稳定性 | 第64-67页 |
| ·热冲击下的可靠性 | 第67-68页 |
| ·硅酮上PECVD氮化硅沉积工艺的优化 | 第68-70页 |
| ·湿度传感器原位测量双层膜防潮性能 | 第70-73页 |
| ·实验方法 | 第70-71页 |
| ·实验结果 | 第71-73页 |
| ·本章小结 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-76页 |
| 第四章 有机／无机双层膜防护的COB封装中水汽扩散的有限元模拟 | 第76-88页 |
| ·引言 | 第76-78页 |
| ·三维有限元模型、材料参数和模拟方法 | 第78-82页 |
| ·有限元模拟结果与讨论 | 第82-86页 |
| ·本章小结 | 第86页 |
| 参考文献 | 第86-88页 |
| 第五章 有机／无机双层膜防潮技术的应用--FCOB | 第88-110页 |
| ·引言 | 第88-94页 |
| ·倒装焊技术简介 | 第88-92页 |
| ·焊球结构和材料 | 第89-90页 |
| ·衬底(基板)材料与底充胶工艺 | 第90-92页 |
| ·倒装焊技术中的可靠性问题 | 第92-93页 |
| ·本章实验的目的和意义 | 第93-94页 |
| ·FCOB及其有防潮层样品的制备 | 第94-99页 |
| ·实验芯片和衬底 | 第94-96页 |
| ·助焊剂与焊接 | 第96-97页 |
| ·底充胶材料与填充工艺 | 第97-99页 |
| ·有防潮层样品的制备 | 第99页 |
| ·水汽及回流对FCOB及其有防潮层样品的可靠性的影响 | 第99-105页 |
| ·水汽及热冲击对FCOB及其有防潮层样品的可靠性的影响 | 第105-106页 |
| ·本章小结 | 第106-108页 |
| 参考文献 | 第108-110页 |
| 第六章 近室温PECVD氮化硅薄膜的防潮性能研究及其应用--OLED封装 | 第110-126页 |
| ·引言 | 第110-114页 |
| ·OLED简介 | 第110-111页 |
| ·OLED原理 | 第111-112页 |
| ·OLED实用化的主要问题 | 第112页 |
| ·OLED的薄膜封装 | 第112-114页 |
| ·近室温PECVD氮化硅薄膜的防潮性能研究 | 第114-120页 |
| ·实验方法 | 第114-115页 |
| ·结果与讨论 | 第115-120页 |
| ·基板温度对氮化硅薄膜性质的影响 | 第115-117页 |
| ·射频功率对氮化硅薄膜性质的影响 | 第117-118页 |
| ·基板温度和射频功率对氮化硅薄膜防水性能的影响 | 第118-120页 |
| ·OLED的氮化硅薄膜封装的工艺优化 | 第120-123页 |
| ·本章小结 | 第123页 |
| 参考文献 | 第123-126页 |
| 第七章 总结与展望 | 第126-130页 |
| 1 全文总结 | 第126-128页 |
| 2 可进一步探索的问题 | 第128-130页 |
| 文章发表目录 | 第130-132页 |
| 致谢 | 第132-133页 |
| 作者简历 | 第133页 |
