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掺Ce~(4+), Zr~(4+)KTP晶体生长及其性质研究

中文摘要第1-6页
英文摘要第6-7页
第一章 绪论第7-22页
 1.1 KTP晶体生长第7-10页
 1.2 KTP晶体结构和性能的关系第10-14页
 1.3 KTP型晶体应用第14-17页
 1.4 KTP晶体的掺质改性及其类质同构体第17-21页
 1.5 前景和展望第21-22页
第二章 掺质离子的选择及其理论根据第22-28页
 2.1 掺质KTP型晶体研究概况第22-23页
 2.2 选择掺质离子的理论依据第23-25页
 2.3 Ce~(4+)∶KTP和Zr~(4+)∶KTP晶体研究现状第25-27页
 2.4 本文拟进行的研究工作第27-28页
第三章 晶体生长第28-37页
 3.1 生长方法和生长设备第30-31页
 3.2 生长原料和助溶剂第31页
 3.3 高温预烧和热处理第31-32页
 3.4 籽晶与晶体生长第32-34页
 3.5 溶液饱和点的测定第34页
 3.6 晶转和降温程序的设定第34-35页
 3.7 退火第35-37页
第四章 晶体形态及其完整性分析第37-48页
 4.1 晶体生长形态第37-39页
 4.2 晶体完整性分析第39-48页
  4.2.1 晶体宏观缺陷第40-41页
  4.2.2 晶体微观缺陷第41-47页
   1. 白光同步辐射形貌术第41-43页
   2. 样品制备第43-44页
   3. 实验及结果第44-47页
  4.2.3 小结第47-48页
第五章 晶体掺质含量、结构和性能第48-61页
 5.1 晶体掺质含量分析第48-50页
  5.1.1 实验用样品溶液的配制第48页
  5.1.2 各晶体的掺质离子浓度及分配系数第48-49页
  5.1.3 结果分析第49-50页
  5.1.4 小结第50页
 5.2 晶胞参数测定第50-52页
 5.3 晶体性能第52-61页
  5.3.1 晶体粉末倍频效应第52-56页
  5.3.2 透过曲线测试第56-59页
  5.3.3 晶体a向电导率的测试第59-61页
第六章 结论第61-63页
参考文献第63-65页
致谢第65页

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