| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| ·TiN 概述 | 第10-15页 |
| ·TiN 材料的结构和性质 | 第10-12页 |
| ·TiN 薄膜材料的制备 | 第12-14页 |
| ·TiN 薄膜研究现状及应用 | 第14-15页 |
| ·TiN 缓冲层的发展及应用 | 第15-17页 |
| ·缓冲层概述 | 第15-16页 |
| ·TiN 缓冲层的研究现状 | 第16-17页 |
| ·一维SiC 纳米材料概述 | 第17-20页 |
| ·一维SiC 纳米材料的性质 | 第17-19页 |
| ·一维SiC 纳米材料的制备 | 第19页 |
| ·一维SiC 纳米材料场发射性质研究现状 | 第19-20页 |
| ·本文主要的实验内容及研究路线 | 第20-21页 |
| 第二章 TiN_X薄膜的制备与表征 | 第21-41页 |
| ·反应磁控溅射制备TiN_X薄膜 | 第21-25页 |
| ·反应磁控溅射原理 | 第21-23页 |
| ·反应溅射设备 | 第23-24页 |
| ·TiN_X薄膜的制备 | 第24-25页 |
| ·TiN_X薄膜物相组成、表面和横截面形貌、性质表征 | 第25-27页 |
| ·物相组成表征 | 第25页 |
| ·TiN_X薄膜的表面、横截面形貌表征及成分测定 | 第25-26页 |
| ·TiN_X薄膜电阻率测定 | 第26-27页 |
| ·实验结果及讨论 | 第27-39页 |
| ·溅射功率对TiN_X薄膜微结构和性能的影响 | 第27-31页 |
| ·溅射压强对TiN_X薄膜微结构和性能的影响 | 第31-36页 |
| ·衬底温度对TiN_X薄膜微结构和性能的影响 | 第36-39页 |
| ·本章小结 | 第39-41页 |
| 第三章 一维SiC 纳米材料的制备与表征 | 第41-54页 |
| ·碳纳米管的制备 | 第41-45页 |
| ·制备方法 | 第41-42页 |
| ·CVD 生长CNTs 的生长机制 | 第42页 |
| ·实验设备 | 第42-43页 |
| ·制备过程 | 第43-45页 |
| ·不同制备条件对CNTS 生长的影响 | 第45-48页 |
| ·催化剂对CNTs 生长的影响 | 第45-46页 |
| ·电场方向对CNTs 生长的影响 | 第46-47页 |
| ·自偏压对CNTs 生长的影响 | 第47-48页 |
| ·TiN_X缓冲层上生长CNTS 的表征 | 第48-50页 |
| ·一维SiC 纳米材料的制备 | 第50页 |
| ·溅射Si | 第50页 |
| ·高温退火 | 第50页 |
| ·一维SiC 纳米材料的表征 | 第50-53页 |
| ·一维SiC 纳米材料的SEM 表征 | 第50-51页 |
| ·一维SiC 纳米材料的XPS 分析 | 第51-52页 |
| ·一维SiC 纳米材料的XRD 分析 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第四章 TiN_X缓冲层对一维SiC 纳米材料场发射的影响 | 第54-62页 |
| ·场发射的原理 | 第54-56页 |
| ·场致电子发射测试设备 | 第56-57页 |
| ·一维SiC 纳米材料场发射性能比较与分析 | 第57-61页 |
| ·不同TiN_X缓冲层对一维SiC 纳米材料场发射性能的影响 | 第57-59页 |
| ·不同缓冲层对一维SiC 纳米材料场发射性能的影响 | 第59-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 结论 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-70页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
