| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 前言 | 第10-14页 |
| §1-1 全球能源形势 | 第10页 |
| §1-2 太阳电池的研究概况 | 第10-11页 |
| §1-3 铸造多晶硅的基本特性 | 第11-12页 |
| §1-4 本文的主要研究内容 | 第12-13页 |
| 参考文献 | 第13-14页 |
| 第二章 硅太阳电池的基本原理 | 第14-24页 |
| §2-1 太阳电池概述 | 第14-16页 |
| 2-1-1 光的反射与折射 | 第14页 |
| 2-1-2 半导体中的光吸收 | 第14-15页 |
| 2-1-3 PN 结的光生伏特效应 | 第15-16页 |
| §2-2 硅太阳电池的基本器件方程 | 第16-23页 |
| 2-2-1 理想PN 结的伏安特性 | 第16页 |
| 2-2-2 硅太阳电池的基本结构 | 第16-17页 |
| 2-2-3 硅太阳电池的基本特征 | 第17-20页 |
| 2-2-4 太阳电池的输出特性 | 第20-22页 |
| 2-2-5 影响电池效率的因素 | 第22-23页 |
| 参考文献 | 第23-24页 |
| 第三章 氮化硅的性能及在太阳电池中的作用 | 第24-34页 |
| §3-1 氮化硅的性能 | 第24-27页 |
| 3-1-1 性能概述 | 第24-26页 |
| 3-1-2 PECVD 工艺参数对氮化硅膜性质的影响 | 第26-27页 |
| §3-2 氮化硅在多晶硅太阳电池上的作用 | 第27-30页 |
| 3-2-1 减反射作用 | 第27-29页 |
| 3-2-2 钝化作用 | 第29-30页 |
| §3-3 氮化硅的常见制备方法 | 第30-32页 |
| 3-3-1 直接氮化 | 第31页 |
| 3-3-2 物理气相沉积法(PVD) | 第31页 |
| 3-3-3 化学气相沉积(CVD) | 第31-32页 |
| 参考文献 | 第32-34页 |
| 第四章 实验工艺及设备 | 第34-44页 |
| §4-1 实验工艺 | 第34-37页 |
| 4-1-1 样品预处理 | 第34-35页 |
| 4-1-2 扩散制结 | 第35-36页 |
| 4-1-3 电极制备 | 第36-37页 |
| 4-1-4 热处理 | 第37页 |
| §4-2 实验设备 | 第37-41页 |
| 4-2-1 PECVD 简介 | 第37-40页 |
| 4-2-2 退火设备 | 第40-41页 |
| §4-3 测试设备 | 第41-43页 |
| 4-3-1 少子寿命测试仪 | 第41-42页 |
| 4-3-2 傅立叶变换红外光谱仪 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-44页 |
| 第五章 氮化硅的制备 | 第44-57页 |
| §5-1 实验简介 | 第44-46页 |
| 5-1-1 样品表面处理 | 第44-46页 |
| §5-2 实验方案 | 第46页 |
| §5-3 结果与分析 | 第46-55页 |
| 5-3-1 方案一中薄膜性能的研究 | 第46-51页 |
| 5-3-2 方案二中氮化硅薄膜性能的研究 | 第51-54页 |
| 5-3-3 沉积温度的优化 | 第54-55页 |
| §5-4 小结 | 第55页 |
| 参考文献 | 第55-57页 |
| 第六章 退火对于氮化硅薄膜性能的影响 | 第57-65页 |
| §6-1 退火后薄膜性能对比 | 第57-61页 |
| 6-1-1 多晶硅样品进行N_2/H_2 气氛退火后的少子寿命 | 第57-59页 |
| 6-1-2 氮气氛退火后的IR 谱 | 第59-60页 |
| 6-1-3 氢气氛退火后的IR 谱 | 第60-61页 |
| § 6-2 退火时间对薄膜少子寿命的影响 | 第61-62页 |
| 6-2-1 样品参数 | 第61页 |
| 6-2-2 实验结果 | 第61-62页 |
| §6-3 氮化硅在多晶硅太阳电池上的作用 | 第62-63页 |
| §6-4 小结 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-65页 |
| 第七章 结论 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第67页 |