| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-38页 |
| ·碳基材料概述 | 第9-22页 |
| ·杂化轨道理论 | 第10-14页 |
| ·碳材料的发展 | 第14-22页 |
| ·Graphene 简介 | 第22-38页 |
| ·Graphene 的存在 | 第22-23页 |
| ·Graphene 的基本结构 | 第23-25页 |
| ·Graphene 的实验制备 | 第25-27页 |
| ·Graphene 的性质 | 第27-34页 |
| ·Graphene 的应用前景 | 第34-38页 |
| 第二章 理论基础与计算方法 | 第38-51页 |
| ·密度泛函理论 | 第39-44页 |
| ·绝热近似 | 第39-40页 |
| ·Hohenberg-Kohn 定理 | 第40-41页 |
| ·Kohn-Sham 方程 | 第41-42页 |
| ·局域密度近似(LDA)和广义梯度近似(GGA) | 第42-44页 |
| ·布洛赫定理和超原胞模型 | 第44-47页 |
| ·布洛赫定理 | 第44-46页 |
| ·超原胞（Supercell）模型 | 第46-47页 |
| ·赝势 | 第47-49页 |
| ·超软赝势（US-PP） | 第48页 |
| ·投影扩充波势(PAW) | 第48-49页 |
| ·VASP 软件包 | 第49-51页 |
| 第三章 In 在 Graphene 上的吸附结构 | 第51-58页 |
| ·模型和方法 | 第52-53页 |
| ·结果、分析和讨论 | 第53-56页 |
| ·结构的优化 | 第53页 |
| ·In 量子线在graphene 上的吸附 | 第53-55页 |
| ·吸附能和覆盖度的关系 | 第55-56页 |
| ·本章小结 | 第56-58页 |
| 第四章 空位和 Si 掺杂对 In 在 Graphene 上吸附的影响 | 第58-64页 |
| ·模型和方法 | 第58-59页 |
| ·结果、分析与讨论 | 第59-63页 |
| ·空位对In 在graphene 上吸附的影响 | 第59-61页 |
| ·Si 的替位掺杂对In 在graphene 上吸附的影响 | 第61-63页 |
| ·结论 | 第63-64页 |
| 第五章 总结和展望 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第75页 |