| 内容提要 | 第1-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-23页 |
| ·自旋电子学 | 第10-12页 |
| ·铁磁性半导体 | 第12-19页 |
| ·早期研究 | 第12-13页 |
| ·氧化物稀磁半导体 | 第13-17页 |
| ·宽禁带半导体中d0-磁性的提出 | 第17-19页 |
| ·计算机模拟 | 第19-20页 |
| ·本论文课题的提出 | 第20-23页 |
| 第二章 基本理论 | 第23-41页 |
| ·第一性原理（First-principles） | 第23页 |
| ·哈特利-福克近似 | 第23-26页 |
| ·密度泛函理论（DFT） | 第26-30页 |
| ·Hohenberg－Kohn 定理 | 第26-28页 |
| ·Kohn－Sham 方程 | 第28-30页 |
| ·交换关联能泛函 | 第30-33页 |
| ·局域密度近似（Local Density Approximation，LDA） | 第30-32页 |
| ·广义梯度近似(Generalized Gradient Approximation, GGA) | 第32-33页 |
| ·常用的能带计算方法 | 第33-39页 |
| ·正交平面波（OPW）方法和缀加平面波（APW）方法 | 第33-36页 |
| ·线性缀加平面波（LAPW）方法 | 第36-38页 |
| ·全势线性缀加平面波（FLAPW）方法 | 第38-39页 |
| ·自洽-迭代方法（SCF） | 第39-40页 |
| ·W IEN2K 简介 | 第40-41页 |
| 第三章 Co 杂质和氧空位在Co 掺杂SnO_2铁磁性中的作用 | 第41-66页 |
| ·SnO_2 简介 | 第42-43页 |
| ·GGA 计算 | 第43-52页 |
| ·计算细节 | 第43页 |
| ·Sn_(1-x)Co_xO_2 体系的研究 | 第43-46页 |
| ·磁有序（磁耦合） | 第46-47页 |
| ·氧空位对磁矩和磁耦合的影响 | 第47-52页 |
| ·GGA+U 计算及其与GGA 结果的比较 | 第52-64页 |
| ·计算细节 | 第53-54页 |
| ·U_(Co) 修正对Sn_(15)CoO_(32) 体系电子结构和磁矩的影响 | 第54-55页 |
| ·U_(Co) 修正对有无氧空位的Co 掺杂SnO_2 磁有序的影响 | 第55-60页 |
| ·带隙修正对Co 掺杂SnO_2 磁有序的影响 | 第60-63页 |
| ·结果可信度的进一步验证 | 第63-64页 |
| ·本章小结 | 第64-66页 |
| 第四章 Ni 杂质和氧空位在Ni 掺杂SnO_2铁磁性中的作用 | 第66-76页 |
| ·计算细节 | 第66-67页 |
| ·计算结果与分析 | 第67-75页 |
| ·对单个Ni 掺杂体系Sn_(15)NiO_(32) 的研究 | 第67-68页 |
| ·氧空位对Ni 掺杂SnO_2 电子结构和磁性质的影响 | 第68-71页 |
| ·磁耦合 | 第71-73页 |
| ·加U 和带隙修正对磁有序的影响 | 第73-75页 |
| ·本章小结 | 第75-76页 |
| 第五章 本征缺陷在不掺杂SnO_2铁磁性中的作用 | 第76-84页 |
| ·计算细节 | 第77页 |
| ·不掺杂的SnO_2 中局域磁矩的来源 | 第77-80页 |
| ·V_o~(1+)之间的磁耦合及模型解释 | 第80-83页 |
| ·本章小结 | 第83-84页 |
| 第六章 SnO_2 (110) 表面磁效应 | 第84-93页 |
| ·计算细节 | 第84-87页 |
| ·正分比和各种还原面的电子结构和磁性质 | 第87-88页 |
| ·氧空位及复合氧空位对正分比和还原结构表面磁性的影响 | 第88-92页 |
| ·本章小结 | 第92-93页 |
| 第七章 结论与展望 | 第93-96页 |
| 参考文献 | 第96-106页 |
| 发表论文 | 第106-107页 |
| 致谢 | 第107-108页 |
| 摘要 | 第108-111页 |
| ABSTRACT | 第111-114页 |
