尺寸与形貌可控的低维银纳米结构的制备
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-24页 |
| ·纳米科技的发展 | 第9-12页 |
| ·银纳米结构的性质和应用 | 第12-14页 |
| ·研究现状 | 第14-22页 |
| ·物理法 | 第15页 |
| ·化学法 | 第15-22页 |
| ·选题目的和主要研究内容 | 第22-24页 |
| 第二章 截面为去角矩形的银纳米线的制备与表征 | 第24-37页 |
| ·引言 | 第24页 |
| ·实验部分 | 第24-27页 |
| ·实验试剂及原料 | 第24-25页 |
| ·实验仪器设备 | 第25页 |
| ·实验过程 | 第25-26页 |
| ·分析仪器与测试方法 | 第26-27页 |
| ·结果与讨论 | 第27-36页 |
| ·结构表征 | 第27-29页 |
| ·制备工艺参数对合成产物形貌和结构的影响 | 第29-34页 |
| ·TEM分析 | 第34-35页 |
| ·矩形银纳米线及其直径调控的机理 | 第35-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 单晶银纳米同轴电缆的合成 | 第37-51页 |
| ·引言 | 第37页 |
| ·实验过程 | 第37-38页 |
| ·产物SEM分析 | 第38页 |
| ·产物的物相成分析 | 第38-39页 |
| ·银纳米电缆线的TEM分析 | 第39-40页 |
| ·产物的影响因素 | 第40-50页 |
| ·温度的影响 | 第41-42页 |
| ·浓度的影响 | 第42-43页 |
| ·时间的影响 | 第43-44页 |
| ·沉淀剂的影响 | 第44-45页 |
| ·还原剂的影响 | 第45-46页 |
| ·红外光谱和拉曼光谱分析 | 第46-49页 |
| ·形成机理 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 边长为微米级的银纳米片的制备与性能研究 | 第51-61页 |
| ·引言 | 第51页 |
| ·实验部分 | 第51-53页 |
| ·实验试剂及原料 | 第51-52页 |
| ·实验仪器设备 | 第52页 |
| ·实验过程 | 第52页 |
| ·分析仪器与测试方法 | 第52-53页 |
| ·大尺寸银纳米片的制备 | 第53-57页 |
| ·物相分析 | 第53-54页 |
| ·形貌与结构分析 | 第54-56页 |
| ·银纳米片的形成机理 | 第56-57页 |
| ·圆盘形银纳米片的合成 | 第57-58页 |
| ·边长为微米级的银纳米片的导电性能 | 第58-59页 |
| ·本章小结 | 第59-61页 |
| 第五章 总结与展望 | 第61-63页 |
| ·全文总结 | 第61-62页 |
| ·本文的创新点 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-79页 |
| 附录 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80页 |
