| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章绪论 | 第11-25页 |
| 1.1引言 | 第11页 |
| 1.2光催化的基本原理与应用 | 第11-13页 |
| 1.3ZnIn2S4半导体的基本性质与制备方法 | 第13-17页 |
| 1.3.1ZnIn2S4的晶体结构 | 第13-14页 |
| 1.3.2ZnIn2S4的光电性质 | 第14-15页 |
| 1.3.3ZnIn2S4的制备方法 | 第15-17页 |
| 1.4提高ZnIn2S4光催化性能的方法 | 第17-20页 |
| 1.4.1构筑异质结 | 第17-18页 |
| 1.4.2修饰助催化剂 | 第18-19页 |
| 1.4.3掺杂 | 第19-20页 |
| 1.5ZnIn2S4催化剂在光催化方面的应用 | 第20-23页 |
| 1.5.1光催化还原六价铬（Cr（Ⅵ））离子 | 第20-21页 |
| 1.5.2光催化分解水产氢 | 第21-22页 |
| 1.5.3光催化还原二氧化碳 | 第22页 |
| 1.5.4光催化降解有机污染物 | 第22-23页 |
| 1.6本课题的提出依据及研究内容 | 第23-25页 |
| 第二章实验方法与仪器表征 | 第25-31页 |
| 2.1实验试剂 | 第25页 |
| 2.2催化剂的物相表征 | 第25-27页 |
| 2.2.1X射线衍射仪（XRD） | 第25页 |
| 2.2.2拉曼光谱仪（Raman） | 第25-26页 |
| 2.2.3场发射扫描电子显微镜（SEM） | 第26页 |
| 2.2.4透射电子显微镜（TEM） | 第26页 |
| 2.2.5紫外可见吸收光谱仪（UV-visDRS） | 第26页 |
| 2.2.6荧光光谱仪（PL） | 第26页 |
| 2.2.7X射线光电子能谱仪（XPS） | 第26-27页 |
| 2.2.8电感耦合等离子体原子发射光谱仪（ICP-AES） | 第27页 |
| 2.2.9顺磁共振波谱仪（ESR） | 第27页 |
| 2.2.10纳米粒度及zeta电位分析仪 | 第27页 |
| 2.2.11X射线吸收精细结构光谱仪（EXAFS） | 第27页 |
| 2.3光电化学性能测试 | 第27-28页 |
| 2.3.1瞬态光电流响应曲线测试（I-t） | 第28页 |
| 2.3.2电化学阻抗谱测试（EIS） | 第28页 |
| 2.3.3Mott-Schottky测试 | 第28页 |
| 2.4可见光催化还原六价铬（Cr（Ⅵ））测试 | 第28-29页 |
| 2.5可见光催化产氢性能测试 | 第29-31页 |
| 第三章ZnIn2S4/SnS2三维异质结的构筑及其光催化还原六价铬（Cr（Ⅵ））性能研究 | 第31-45页 |
| 3.1引言 | 第31页 |
| 3.2实验部分 | 第31-32页 |
| 3.2.1催化剂的制备 | 第31-32页 |
| 3.2.2ZnIn2S4/SnS2异质结的表征 | 第32页 |
| 3.2.3光电化学性能测试 | 第32页 |
| 3.2.4可见光催化还原六价铬（Cr（Ⅵ））测试 | 第32页 |
| 3.3结果与讨论 | 第32-43页 |
| 3.3.1催化剂的性质与形貌分析 | 第32-38页 |
| 3.3.2光催化还原六价铬（Cr（Ⅵ））性能分析 | 第38-41页 |
| 3.3.3光催化性能增强的机理分析 | 第41-43页 |
| 3.4本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章富含硫空位缺陷ZnIn2S4负载单原子Ni的制备及其光催化产氢性能研究 | 第45-61页 |
| 4.1引言 | 第45-46页 |
| 4.2实验部分 | 第46-47页 |
| 4.2.1催化剂的制备 | 第46-47页 |
| 4.2.2Ni/ZnIn2S4-RVs光催化剂的表征 | 第47页 |
| 4.2.3光电化学性能测试 | 第47页 |
| 4.2.4可见光催化产氢性能测试 | 第47页 |
| 4.3结果与讨论 | 第47-59页 |
| 4.3.1催化剂的性质与形貌分析 | 第47-53页 |
| 4.3.2光催化分解水产氢活性评价 | 第53-56页 |
| 4.3.3光催化产氢性能增强的机理分析 | 第56-59页 |
| 4.4本章小结 | 第59-61页 |
| 第五章结论与展望 | 第61-63页 |
| 5.1结论 | 第61-62页 |
| 5.2展望 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-75页 |
| 攻读学位期间的成果 | 第75-77页 |
| 致谢 | 第77页 |
