一种新型氮化镓基发光二极管芯片的分析及制备研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-24页 |
| ·GaN 基LED 芯片的研究意义 | 第10-12页 |
| ·LED 简介 | 第12-16页 |
| ·GaN 基LED 芯片的研究现状 | 第16-22页 |
| ·课题来源和论文主要内容 | 第22-24页 |
| 2 LED 芯片的光学建模研究 | 第24-50页 |
| ·LED 芯片光学建模的数值计算方法 | 第24-28页 |
| ·LED 芯片的有限元光学模型 | 第28-31页 |
| ·LED 芯片的蒙特卡罗光线追踪光学模型 | 第31-42页 |
| ·LED 芯片的光学建模与实验验证 | 第42-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 3 LED 芯片的电流扩展建模研究 | 第50-70页 |
| ·电流扩展对LED 芯片性能的影响 | 第50-52页 |
| ·电流扩展的等效电路模型 | 第52-57页 |
| ·LED 芯片电流扩展建模的理论基础 | 第57-64页 |
| ·LED 电流扩展建模与实验验证 | 第64-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 4 大功率GaN 基LED 芯片的优化设计 | 第70-89页 |
| ·LED 芯片取光效率的分析 | 第70-77页 |
| ·LED 芯片电流扩展的优化设计 | 第77-82页 |
| ·新型LED 芯片的设计 | 第82-88页 |
| ·本章小结 | 第88-89页 |
| 5 GaN 基LED 芯片的制备 | 第89-113页 |
| ·典型正装结构LED 芯片的制备工艺流程 | 第89-94页 |
| ·p 型GaN 欧姆接触的制备 | 第94-97页 |
| ·GaN 外延层的干法刻蚀工艺 | 第97-106页 |
| ·新型沟槽结构LED 芯片的制备和测试 | 第106-112页 |
| ·本章小结 | 第112-113页 |
| 6 总结与展望 | 第113-115页 |
| ·全文总结 | 第113-114页 |
| ·今后工作展望 | 第114-115页 |
| 致谢 | 第115-116页 |
| 参考文献 | 第116-132页 |
| 攻读博士学位期间发表论文 | 第132-134页 |
| 攻读博士学位期间申请和授权专利 | 第134页 |
