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半导体量子阱中量子相干效应及其应用的理论研究

摘要第1-6页
Abstract第6-11页
1 绪言第11-36页
   ·本论文研究背景第11-24页
   ·理论基础及工具第24-34页
   ·本论文的主要工作第34-36页
2 耦合双量子阱中的超慢光孤子第36-43页
   ·引言第36页
   ·模型与非线性演化方程第36-40页
   ·孤子的形成第40-41页
   ·本章小结第41-43页
3 耦合三量子阱结构中四波混频的产生第43-53页
   ·引言第43页
   ·模型与动力学方程第43-46页
   ·数值结果与讨论第46-51页
   ·本章小结第51-53页
4 耦合量子阱中光场的增益和吸收性质第53-72页
   ·引言第53-54页
   ·三量子阱中红外光场与相位有关的增益和吸收性质第54-61页
   ·双量子阱中隧穿诱导干涉引起的可控增益和吸收性质第61-70页
   ·本章小结第70-72页
5 耦合量子阱结构中的偏振量子相位门第72-87页
   ·引言第72-73页
   ·双量子阱中的偏振量子相位门第73-78页
   ·三量子阱中两红外脉冲间的偏振相位门第78-86页
   ·本章小结第86-87页
6 利用非对称量子阱中的Fano干涉实现两腔模间的纠缠第87-97页
   ·引言第87-88页
   ·耦合量子阱模型和主方程第88-91页
   ·腔场的纠缠第91-94页
   ·本章小结第94-95页
 附录第95-97页
7 全文总结与展望第97-99页
   ·全文总结第97-98页
   ·工作展望第98-99页
致谢第99-101页
参考文献第101-113页
附录1 攻读学位期间发表论文目录第113-115页

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