| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 研究背景 | 第8页 |
| 1.2 纳米材料 | 第8-10页 |
| 1.2.1 纳米材料简介 | 第8-9页 |
| 1.2.2 纳米材料特性 | 第9-10页 |
| 1.2.3 纳米线 | 第10页 |
| 1.3 GaN概述 | 第10-16页 |
| 1.3.1 GaN晶体结构 | 第10-12页 |
| 1.3.2 GaN特性 | 第12-13页 |
| 1.3.3 计算与制备方法 | 第13-15页 |
| 1.3.4 GaN研究进展 | 第15-16页 |
| 1.4 选题依据与研究内容 | 第16-18页 |
| 1.4.1 选题依据 | 第16-17页 |
| 1.4.2 本文主要研究内容 | 第17-18页 |
| 2 AlN包覆GaN纳米线复合结构第一性原理研究 | 第18-30页 |
| 2.1 第一性原理(First-prineiple) | 第18页 |
| 2.2 密度泛函理论(Density Functional Theory) | 第18-21页 |
| 2.2.1 密度泛函理论简介 | 第18页 |
| 2.2.2 密度泛函理论主要发展过程 | 第18-21页 |
| 2.3 AlN包覆GaN纳米线复合结构模型构建及计算参数设置 | 第21-22页 |
| 2.3.1 AlN包覆GaN纳米线复合结构模型构建 | 第21-22页 |
| 2.3.2 AlN包覆GaN纳米线复合结构计算参数设置 | 第22页 |
| 2.4 结果分析与讨论 | 第22-28页 |
| 2.4.1 结构弛豫 | 第22-23页 |
| 2.4.2 能带结构 | 第23-24页 |
| 2.4.3 态密度 | 第24-26页 |
| 2.4.4 局域电荷密度 | 第26-27页 |
| 2.4.5 功函数 | 第27-28页 |
| 2.5 本章小结 | 第28-30页 |
| 3 AlN包覆GaN纳米线复合结构制备与表征 | 第30-48页 |
| 3.1 引言 | 第30页 |
| 3.2 实验药品 | 第30-31页 |
| 3.3 实验仪器 | 第31页 |
| 3.4 CVD管式系统及生长原理介绍 | 第31-33页 |
| 3.4.1 自动控温管式炉介绍 | 第31-32页 |
| 3.4.2 AlN包覆GaN纳米线复合结构生长机制 | 第32-33页 |
| 3.5 衬底准备 | 第33-35页 |
| 3.5.1 衬底切割与清洗 | 第34页 |
| 3.5.2 催化剂制备 | 第34-35页 |
| 3.6 AlN包覆GaN纳米线复合结构制备 | 第35-36页 |
| 3.6.1 GaN纳米线核制备 | 第35-36页 |
| 3.6.2 异质外延壳AlN制备 | 第36页 |
| 3.7 AlN包覆GaN纳米线复合结构表征与分析 | 第36-46页 |
| 3.7.1 表征设备 | 第36-37页 |
| 3.7.2 温度对AlN包覆GaN纳米线复合结构制备的影响 | 第37-41页 |
| 3.7.3 GaN纳米线密度对AlN包覆Ga N纳米线复合结构制备的影响 | 第41-45页 |
| 3.7.4 AlN包覆GaN纳米线复合结构EDS表征 | 第45页 |
| 3.7.5 AlN包覆GaN纳米线复合结构XRD表征 | 第45-46页 |
| 3.8 本章小结 | 第46-48页 |
| 4 结论与展望 | 第48-50页 |
| 4.1 本文主要结论 | 第48页 |
| 4.2 未来工作展望 | 第48-50页 |
| 致谢 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-58页 |
| 附录一 | 第58-60页 |
| 附录二 | 第60页 |
