基于外延式碳化硅探测器低能X射线能谱测量方法研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| 1.1 选题背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 X射线能谱测量国内外研究现状 | 第10-12页 |
| 1.3 本文研究的主要内容 | 第12-13页 |
| 第二章 X射线探测机制 | 第13-21页 |
| 2.1 X射线与物质的相互作用 | 第13-15页 |
| 2.1.1 光电效应 | 第13-14页 |
| 2.1.2 康普顿效应 | 第14页 |
| 2.1.3 电子对效应 | 第14-15页 |
| 2.2 X射线探测基本原理 | 第15-16页 |
| 2.3 碳化硅半导体探测器 | 第16-17页 |
| 2.4 传统软X射线能谱测量方法 | 第17-20页 |
| 2.4.1 吸收法 | 第17-18页 |
| 2.4.2 晶体分光法 | 第18-19页 |
| 2.4.3 透射光栅法 | 第19-20页 |
| 2.5 本章小结 | 第20-21页 |
| 第三章 软X射线能谱测量方法 | 第21-28页 |
| 3.1 单能X射线响应 | 第21-25页 |
| 3.1.1 蒙特卡罗模型 | 第21-22页 |
| 3.1.2 吸收特性分析 | 第22-25页 |
| 3.2 衰减透射法 | 第25-26页 |
| 3.3 阶梯吸收法 | 第26-27页 |
| 3.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 第四章 解谱方法 | 第28-36页 |
| 4.1 探测器响应矩阵方程 | 第28-29页 |
| 4.2 两步逆向迭代法 | 第29-34页 |
| 4.2.1 两步逆向迭代算法(Ⅰ) | 第30-32页 |
| 4.2.2 两步逆向迭代法(Ⅱ) | 第32-33页 |
| 4.2.3 MATLAB解谱程序 | 第33-34页 |
| 4.3 提高能谱分辨率的方法 | 第34-35页 |
| 4.3.1 分段线性插值法 | 第34-35页 |
| 4.3.2 探测器信号响应的指数拟合 | 第35页 |
| 4.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 第五章 测量结果与分析 | 第36-41页 |
| 5.1 能谱测量结果分析 | 第36-39页 |
| 5.2 正卷积结果验证 | 第39-41页 |
| 第六章 结论与展望 | 第41-43页 |
| 6.1 结论 | 第41页 |
| 6.2 展望 | 第41-43页 |
| 参考文献 | 第43-46页 |
| 附录A | 第46-48页 |
| 附录B | 第48-49页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文及其它成果 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50页 |
