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InGaN太阳能电池研制及其辐照效应研究

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-9页
符号对照表第14-15页
缩略语对照表第15-20页
第一章 绪论第20-36页
    1.1 研究背景和意义第20-23页
        1.1.1 能源危机第20-22页
        1.1.2 太阳能电池的发展第22-23页
    1.2 InGaN太阳能电池研究进展第23-27页
    1.3 InGaN材料和器件辐照效应研究进展第27-32页
        1.3.1 InGaN材料辐照效应研究现状第27-30页
        1.3.2 InGaN基器件辐照效应研究现状第30-32页
    1.4 本文的研究内容和结构安排第32-36页
第二章 InGaN太阳能电池及其辐照效应研究基础第36-46页
    2.1 太阳能电池基本原理第36-38页
        2.1.1 pn结光生伏特效应第36-37页
        2.1.2 pn结伏安特性和主要表征参数第37-38页
    2.2 InGaN材料表征第38-41页
        2.2.1 X射线衍射(XRD)第38-39页
        2.2.2 拉曼测试(Raman)第39-40页
        2.2.3 光致发光(PL)第40-41页
    2.3 GaN材料的辐照损伤缺陷第41-44页
    2.4 本章小结第44-46页
第三章 常规与插入SLS层结构的InGaN/GaN MQWs电池研究第46-66页
    3.1 引言第46-47页
    3.2 极化与电子隧穿理论第47-56页
        3.2.1 InGaN/Ga N中的极化效应第47-50页
        3.2.2 极化效应下多量子阱结构的隧穿效应第50-56页
    3.3 插入SLS结构的InGaN/GaN MQWs电池研究第56-59页
        3.3.1 常规及插入SLS结构的InGaN/GaN MQWs电池结构第56-57页
        3.3.2 电池的工艺制备第57-58页
        3.3.3 常规及插入SLS结构的InGaN/GaN MQWs电池性能表征第58-59页
    3.4 插入SLS结构的InGaN/GaN MQWs材料特性研究第59-64页
        3.4.1 InGaN/GaN MQWs薄膜的表面特性第59-60页
        3.4.2 InGaN/GaN MQWs薄膜的XRD表征第60页
        3.4.3 InGaN/GaN MQWs薄膜的PL谱第60-61页
        3.4.4 InGaN/GaN MQWs薄膜的拉曼光谱(Raman)第61-62页
        3.4.5 插入SLS结构的多量子阱电子隧穿效应仿真第62-64页
    3.5 本章小结第64-66页
第四章 InGaN/GaN MQWs太阳能电池Co~(60)γ辐照总剂量效应研究第66-82页
    4.1 引言第66-67页
    4.2 Co~(60)γ辐照对InGaN/GaN MQWs电池的影响第67-70页
        4.2.1 亮电流和暗电流电流-电压特性第67-68页
        4.2.2 外量子效率EQE特性第68-69页
        4.2.3 太阳能电池的自愈特性研究第69-70页
    4.3 Co~(60)γ辐照对InGaN/GaN MQWs材料的影响第70-73页
        4.3.1 Xrd测试第70-72页
        4.3.2 PL谱的影响第72-73页
    4.4 Co~(60)γ辐照对电流扩展层(ITO)的影响第73-81页
        4.4.1 ITO作为电极材料的应用第73-74页
        4.4.2 ITO的Co~(60)γ射线辐照效应分析第74-81页
    4.5 本章小结第81-82页
第五章 InGaN/GaN MQWs太阳能电池的质子辐照研究第82-96页
    5.1 引言第82页
    5.2 质子辐照损伤机理第82-84页
    5.3 质子辐照对InGaN/GaN MQWs太阳能电池影响第84-94页
        5.3.1 质子辐照后的电流-电压特性第84-85页
        5.3.2 质子辐照后外量子效率特性第85-86页
        5.3.3 质子辐照后开路电压附近的电流-电压特性第86-87页
        5.3.4 有源区性能退化第87-88页
        5.3.5 有源区性能退化机理的SRIM仿真分析第88-93页
        5.3.6 有源区性能退化机理的实验测试分析第93-94页
    5.4 本章小结第94-96页
第六章 总结与展望第96-100页
    6.1 全文内容总结第96-98页
    6.2 后续研究工作展望第98-100页
参考文献第100-110页
致谢第110-112页
作者简介第112-114页

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