摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-9页 |
符号对照表 | 第14-15页 |
缩略语对照表 | 第15-20页 |
第一章 绪论 | 第20-36页 |
1.1 研究背景和意义 | 第20-23页 |
1.1.1 能源危机 | 第20-22页 |
1.1.2 太阳能电池的发展 | 第22-23页 |
1.2 InGaN太阳能电池研究进展 | 第23-27页 |
1.3 InGaN材料和器件辐照效应研究进展 | 第27-32页 |
1.3.1 InGaN材料辐照效应研究现状 | 第27-30页 |
1.3.2 InGaN基器件辐照效应研究现状 | 第30-32页 |
1.4 本文的研究内容和结构安排 | 第32-36页 |
第二章 InGaN太阳能电池及其辐照效应研究基础 | 第36-46页 |
2.1 太阳能电池基本原理 | 第36-38页 |
2.1.1 pn结光生伏特效应 | 第36-37页 |
2.1.2 pn结伏安特性和主要表征参数 | 第37-38页 |
2.2 InGaN材料表征 | 第38-41页 |
2.2.1 X射线衍射(XRD) | 第38-39页 |
2.2.2 拉曼测试(Raman) | 第39-40页 |
2.2.3 光致发光(PL) | 第40-41页 |
2.3 GaN材料的辐照损伤缺陷 | 第41-44页 |
2.4 本章小结 | 第44-46页 |
第三章 常规与插入SLS层结构的InGaN/GaN MQWs电池研究 | 第46-66页 |
3.1 引言 | 第46-47页 |
3.2 极化与电子隧穿理论 | 第47-56页 |
3.2.1 InGaN/Ga N中的极化效应 | 第47-50页 |
3.2.2 极化效应下多量子阱结构的隧穿效应 | 第50-56页 |
3.3 插入SLS结构的InGaN/GaN MQWs电池研究 | 第56-59页 |
3.3.1 常规及插入SLS结构的InGaN/GaN MQWs电池结构 | 第56-57页 |
3.3.2 电池的工艺制备 | 第57-58页 |
3.3.3 常规及插入SLS结构的InGaN/GaN MQWs电池性能表征 | 第58-59页 |
3.4 插入SLS结构的InGaN/GaN MQWs材料特性研究 | 第59-64页 |
3.4.1 InGaN/GaN MQWs薄膜的表面特性 | 第59-60页 |
3.4.2 InGaN/GaN MQWs薄膜的XRD表征 | 第60页 |
3.4.3 InGaN/GaN MQWs薄膜的PL谱 | 第60-61页 |
3.4.4 InGaN/GaN MQWs薄膜的拉曼光谱(Raman) | 第61-62页 |
3.4.5 插入SLS结构的多量子阱电子隧穿效应仿真 | 第62-64页 |
3.5 本章小结 | 第64-66页 |
第四章 InGaN/GaN MQWs太阳能电池Co~(60)γ辐照总剂量效应研究 | 第66-82页 |
4.1 引言 | 第66-67页 |
4.2 Co~(60)γ辐照对InGaN/GaN MQWs电池的影响 | 第67-70页 |
4.2.1 亮电流和暗电流电流-电压特性 | 第67-68页 |
4.2.2 外量子效率EQE特性 | 第68-69页 |
4.2.3 太阳能电池的自愈特性研究 | 第69-70页 |
4.3 Co~(60)γ辐照对InGaN/GaN MQWs材料的影响 | 第70-73页 |
4.3.1 Xrd测试 | 第70-72页 |
4.3.2 PL谱的影响 | 第72-73页 |
4.4 Co~(60)γ辐照对电流扩展层(ITO)的影响 | 第73-81页 |
4.4.1 ITO作为电极材料的应用 | 第73-74页 |
4.4.2 ITO的Co~(60)γ射线辐照效应分析 | 第74-81页 |
4.5 本章小结 | 第81-82页 |
第五章 InGaN/GaN MQWs太阳能电池的质子辐照研究 | 第82-96页 |
5.1 引言 | 第82页 |
5.2 质子辐照损伤机理 | 第82-84页 |
5.3 质子辐照对InGaN/GaN MQWs太阳能电池影响 | 第84-94页 |
5.3.1 质子辐照后的电流-电压特性 | 第84-85页 |
5.3.2 质子辐照后外量子效率特性 | 第85-86页 |
5.3.3 质子辐照后开路电压附近的电流-电压特性 | 第86-87页 |
5.3.4 有源区性能退化 | 第87-88页 |
5.3.5 有源区性能退化机理的SRIM仿真分析 | 第88-93页 |
5.3.6 有源区性能退化机理的实验测试分析 | 第93-94页 |
5.4 本章小结 | 第94-96页 |
第六章 总结与展望 | 第96-100页 |
6.1 全文内容总结 | 第96-98页 |
6.2 后续研究工作展望 | 第98-100页 |
参考文献 | 第100-110页 |
致谢 | 第110-112页 |
作者简介 | 第112-114页 |