首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--半导体三极管(晶体管)论文--晶体管:按工艺分论文

基于金属氧化物薄膜晶体管的运算放大器的设计与电路仿真

摘要第3-5页
ABSTRACT第5-6页
1 绪论第9-17页
    1.1 研究背景与意义第9-10页
    1.2 金属氧化物薄膜晶体管第10-13页
    1.3 薄膜晶体管运算放大器研究发展现状第13-15页
    1.4 本论文研究内容及工作安排第15-16页
    1.5 本章小结第16-17页
2 器件拟合及验证第17-37页
    2.1 引言第17页
    2.2 薄膜晶体管工作原理第17-21页
    2.3 拟合及仿真工具第21-26页
    2.4 器件仿真模型拟合第26-34页
    2.5 器件模型验证第34-36页
    2.6 本章小结第36-37页
3 IZOTFT运放设计要点及单级放大器设计与仿真第37-54页
    3.1 引言第37页
    3.2 TFT集成运算放大器设计要点第37-42页
    3.3 两级正反馈结构放大器第42-45页
    3.4 自举增益增加结构第45-53页
    3.5 本章小结第53-54页
4 基于IZOTFT的差分运放设计与仿真第54-64页
    4.1 引言第54页
    4.2 TFT运放设计流程第54-55页
    4.3 基于IZOTFT的差分运放设计第55-63页
    4.4 本章小节第63-64页
5 总结与展望第64-66页
    5.1 工作总结第64-65页
    5.2 展望第65-66页
参考文献第66-71页
攻读硕士期间取得的研究成果第71-72页
致谢第72页

论文共72页,点击 下载论文
上一篇:适用于深度学习的数据预处理并行算法实现及性能优化
下一篇:我国电力市场信息披露制度研究