蓝光GaN基LD的可靠性研究
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 蓝光GaN基LD的发展 | 第10-13页 |
| 1.2 蓝光GaN基LD的应用 | 第13-15页 |
| 1.3 蓝光GaN基LD可靠性研究背景与意义 | 第15-17页 |
| 1.3.1 蓝光GaN基LD可靠性研究背景 | 第15-16页 |
| 1.3.2 蓝光GaN基LD可靠性研究意义 | 第16-17页 |
| 1.4 本论文研究内容 | 第17-18页 |
| 第2章 蓝光GaN基LD可靠性研究基础 | 第18-32页 |
| 2.1 蓝光GaN基LD的工作原理 | 第18-21页 |
| 2.1.1 粒子数反转 | 第18-19页 |
| 2.1.2 光学谐振腔 | 第19-20页 |
| 2.1.3 阈值条件 | 第20-21页 |
| 2.2 蓝光GaN基LD的制备 | 第21-24页 |
| 2.2.1 外延生长 | 第21-22页 |
| 2.2.2 芯片制造 | 第22-24页 |
| 2.3 蓝光GaN基LD退化机理 | 第24-26页 |
| 2.3.1 点缺陷 | 第24-25页 |
| 2.3.2 位错 | 第25-26页 |
| 2.3.3 腔面与电极退化 | 第26页 |
| 2.4 蓝光GaN基LD的退化条件 | 第26-30页 |
| 2.4.1 温度应力 | 第27页 |
| 2.4.2 电流应力 | 第27-28页 |
| 2.4.3 失效模式与过应力加速老化分析 | 第28-30页 |
| 2.5 本章小结 | 第30-32页 |
| 第3章 外延片与芯片测试 | 第32-50页 |
| 3.1 外延片测试 | 第32-38页 |
| 3.1.1 金相与表面缺陷检测 | 第32-33页 |
| 3.1.2 原子力显微镜检测 | 第33-34页 |
| 3.1.3 光致发光测试 | 第34-36页 |
| 3.1.4 X射线衍射测试 | 第36-38页 |
| 3.2 LD芯片检测 | 第38-43页 |
| 3.2.1 扫描电子显微镜检测 | 第39-40页 |
| 3.2.2 X射线能谱仪检测 | 第40-42页 |
| 3.2.3 阴极荧光检测 | 第42-43页 |
| 3.3 LD光电特性测试 | 第43-49页 |
| 3.3.1 P-I-V特性测试 | 第43-45页 |
| 3.3.2 阈值特性测试 | 第45-46页 |
| 3.3.3 微分量子效率测试 | 第46-47页 |
| 3.3.4 远场特性测试 | 第47-49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 第4章 蓝光GaN基LD老化分析 | 第50-64页 |
| 4.1 老化测试 | 第50-52页 |
| 4.2 老化后光电特性分析 | 第52-58页 |
| 4.2.1 P-I-V对比分析 | 第52-54页 |
| 4.2.2 阈值特性对比分析 | 第54-55页 |
| 4.2.3 微分量子效率对比分析 | 第55-56页 |
| 4.2.4 远场特性对比分析 | 第56页 |
| 4.2.5 波长对比分析 | 第56-57页 |
| 4.2.6 反向漏电流对比分析 | 第57-58页 |
| 4.3 老化后体变化分析 | 第58-62页 |
| 4.3.1 前腔面变化分析 | 第58-60页 |
| 4.3.2 脊形区变化分析 | 第60-61页 |
| 4.3.3 穿透位错变化分析 | 第61-62页 |
| 4.4 本章小结 | 第62-64页 |
| 结论 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文和专利 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72页 |
