| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| ·一维无机纳米材料的光电性质 | 第10-13页 |
| ·纳米管的光电性质 | 第10-12页 |
| ·纳米线的光电性质 | 第12页 |
| ·ZnSe 和ZnO 材料的性质及应用 | 第12-13页 |
| ·一维无机纳米材料的构造 | 第13-15页 |
| ·纳米管的理论模型 | 第13-14页 |
| ·纳米线的理论模型 | 第14-15页 |
| ·本文的主要研究工作概述 | 第15-17页 |
| 第二章 理论计算原理和方法 | 第17-26页 |
| ·密度泛函理论 | 第17-22页 |
| ·Hohenberg-Kohn 定理和Kohn-Sham (KS)方程 | 第18-19页 |
| ·Kohn-Sham 方程 | 第19-21页 |
| ·交换关联函数 | 第21-22页 |
| ·VASP 软件简介 | 第22-24页 |
| ·CASTEP 软件简介 | 第24-26页 |
| 第三章 ZnSe 单壁纳米管的电子结构和光学性质 | 第26-35页 |
| ·引言 | 第26页 |
| ·计算模型 | 第26-28页 |
| ·计算结果与讨论 | 第28-34页 |
| ·电子结构及其性质 | 第28-30页 |
| ·光学性质及其分析 | 第30-34页 |
| ·小结 | 第34-35页 |
| 第四章 ZnO 纳米线的p 型掺杂 | 第35-43页 |
| ·引言 | 第35-36页 |
| ·计算模型 | 第36-37页 |
| ·计算结果与讨论 | 第37-42页 |
| ·N 原子替换式掺杂 | 第37-38页 |
| ·O 缺陷在 ZnO 纳米线中的作用 | 第38-39页 |
| ·N 掺杂于含有O 缺陷的ZnO 纳米线中 | 第39-40页 |
| ·NO 吸附在ZnO 纳米线表面 | 第40-42页 |
| ·小结 | 第42-43页 |
| 第五章 总结与展望 | 第43-48页 |
| ·总结 | 第43-44页 |
| ·展望 | 第44-48页 |
| 参考文献 | 第48-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第55页 |