| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 一维纳米结构光电探测器的研究进展 | 第11-15页 |
| 1.2.1 一维纳米结构光电探测器常见结构 | 第12-13页 |
| 1.2.2 一维纳米硫属化物光电探测器 | 第13-15页 |
| 1.3 硒化锑(Sb_2Se_3)材料的研究进展 | 第15-21页 |
| 1.3.1 Sb_2Se_3的晶体结构 | 第15页 |
| 1.3.2 Sb_2Se_3的光电特性 | 第15-17页 |
| 1.3.3 Sb_2Se_3材料的研究现状 | 第17-18页 |
| 1.3.4 Sb_2Se_3在光电领域的应用 | 第18-20页 |
| 1.3.5 Sb_2Se_3材料的制备方法 | 第20-21页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 | 第21-24页 |
| 第二章 样品性能表征技术 | 第24-28页 |
| 2.1 性能表征技术 | 第24-28页 |
| 2.1.1 X射线衍射分析(XRD) | 第24-25页 |
| 2.1.2 扫描电子显微镜分析(SEM、EDX) | 第25页 |
| 2.1.3 透射电子显微镜分析(TEM、HRTEM及SAED) | 第25-26页 |
| 2.1.4 紫外-可见-近红外分光光度计(UV-Vis-NIR) | 第26-27页 |
| 2.1.5 光电性能测试 | 第27-28页 |
| 第三章 Sb_2Se_3纳米棒的制备与表征 | 第28-42页 |
| 3.1 热注入法制备Sb_2Se_3纳米棒 | 第28-31页 |
| 3.1.1 实验原料及设备 | 第28-30页 |
| 3.1.2 Sb_2Se_3纳米棒制备实验流程 | 第30-31页 |
| 3.2 实验结果与讨论 | 第31-41页 |
| 3.2.1 热注入温度对Sb_2Se_3纳米棒的影响 | 第31-37页 |
| 3.2.2 PVP含量对Sb_2Se_3纳米棒的影响 | 第37-38页 |
| 3.2.3 Sb_2Se_3纳米棒薄膜的光电性能表征 | 第38-41页 |
| 3.3 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 Sb_2Se_3纳米棒薄膜的制备与表征 | 第42-54页 |
| 4.1 单质前驱液法制备Sb_2Se_3薄膜 | 第42-45页 |
| 4.1.1 实验原料及设备 | 第43页 |
| 4.1.2 Sb_2Se_3纳米棒薄膜制备实验流程 | 第43-45页 |
| 4.2 实验结果与讨论 | 第45-53页 |
| 4.2.1 前驱液浓度对Sb_2Se_3纳米棒薄膜的影响 | 第45-48页 |
| 4.2.2 S掺杂含量对Sb_2Se_3纳米棒薄膜的影响 | 第48-51页 |
| 4.2.3 Sb_2(Se_(1-x)S_x)_3纳米棒薄膜的光电性能表征 | 第51-53页 |
| 4.3 本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 结论 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-62页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-66页 |
