基于GaAs/GaN工艺的单片宽带放大器研究
| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9页 |
| 第一章 绪论 | 第16-21页 |
| 1.1 MMIC技术的发展历程 | 第16-17页 |
| 1.2 MMIC电路的优势 | 第17页 |
| 1.3 MMIC芯片的应用 | 第17-18页 |
| 1.4 MMIC低噪声放大器 | 第18-19页 |
| 1.5 MMIC功率放大器 | 第19-20页 |
| 1.6 本文的主要内容安排 | 第20-21页 |
| 第二章 放大器的理论基础 | 第21-32页 |
| 2.1 二端口理论 | 第21-22页 |
| 2.2 噪声理论 | 第22页 |
| 2.3 放大器的分类 | 第22-23页 |
| 2.4 低噪声放大器的主要技术指标 | 第23-28页 |
| 2.4.1 工作带宽 | 第23页 |
| 2.4.2 噪声系数 | 第23-24页 |
| 2.4.3 增益与增益平坦度 | 第24页 |
| 2.4.4 输入、输出驻波比 | 第24-25页 |
| 2.4.5 稳定性 | 第25-26页 |
| 2.4.6 1dB压缩点与三阶交调 | 第26-27页 |
| 2.4.7 动态范围 | 第27-28页 |
| 2.5 功率放大器相关的技术指标 | 第28-29页 |
| 2.5.1 输出功率 | 第28页 |
| 2.5.2 效率 | 第28-29页 |
| 2.6 宽带放大器的结构 | 第29-31页 |
| 2.6.1 电抗匹配式结构 | 第29页 |
| 2.6.2 有耗匹配式 | 第29页 |
| 2.6.3 分布式结构 | 第29-30页 |
| 2.6.4 平衡式结构 | 第30页 |
| 2.6.5 负反馈式结构 | 第30-31页 |
| 2.7 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 MMIC器件与工艺 | 第32-40页 |
| 3.1 无源元件 | 第32-34页 |
| 3.1.1 微带线 | 第32页 |
| 3.1.2 电阻 | 第32-33页 |
| 3.1.3 电感 | 第33-34页 |
| 3.1.4 电容 | 第34页 |
| 3.2 有源元件 | 第34-37页 |
| 3.2.1 半导体材料 | 第34-35页 |
| 3.2.2 高电子迁移率晶体管 | 第35-37页 |
| 3.2.3 pHEMT器件模型 | 第37页 |
| 3.3 MMIC制造工艺的流程 | 第37-38页 |
| 3.4 MMIC电路设计的流程 | 第38-39页 |
| 3.5 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 基于GaAs工艺的宽带低噪声放大器设计 | 第40-56页 |
| 4.1 晶体管直流特性仿真 | 第40-41页 |
| 4.2 偏置电路的设计 | 第41-43页 |
| 4.3 稳定性分析 | 第43-45页 |
| 4.4 匹配电路的类别 | 第45-48页 |
| 4.4.1 集总式元件匹配 | 第46-47页 |
| 4.4.2 分布式元件匹配 | 第47-48页 |
| 4.4.3 混合式元件匹配 | 第48页 |
| 4.5 低噪声放大器整体电路的设计 | 第48-54页 |
| 4.6 本章小结 | 第54-56页 |
| 第五章 基于GaN工艺的宽带功率放大器设计 | 第56-67页 |
| 5.1 功率放大器的结构 | 第56-57页 |
| 5.1.1 单级功率放大器 | 第56页 |
| 5.1.2 多级功率放大器 | 第56-57页 |
| 5.2 输出级匹配网络的设计 | 第57-62页 |
| 5.3 级间匹配网络的设计 | 第62-63页 |
| 5.4 输入级匹配网络 | 第63-64页 |
| 5.5 功率放大器的版图和仿真结果 | 第64-66页 |
| 5.6 本章小结 | 第66-67页 |
| 第六章 总结与展望 | 第67-68页 |
| 6.1 总结 | 第67页 |
| 6.2 不足与展望 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-71页 |
