| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-34页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 石墨烯和石墨烯量子点(GQDS) | 第11-19页 |
| 1.2.1 石墨烯和石墨烯量子点的制备 | 第11-14页 |
| 1.2.2 石墨烯和石墨烯量子点的应用 | 第14-19页 |
| 1.3 太阳能电池概述 | 第19-22页 |
| 1.3.1 太阳能电池原理 | 第19-20页 |
| 1.3.2 太阳能电池电学性能分析 | 第20-22页 |
| 1.4 新型硅异质结太阳能电池 | 第22-26页 |
| 1.4.1 表界面的改善和钝化 | 第23-24页 |
| 1.4.2 硅陷光结构的构筑 | 第24-25页 |
| 1.4.3 PEDOT:PSS的修饰改性 | 第25-26页 |
| 1.5 本文研究的主要内容和意义 | 第26-27页 |
| 参考文献 | 第27-34页 |
| 第二章 基于石墨烯透明电极的高效率高稳定性硅-有机杂化太阳能电池 | 第34-60页 |
| 2.1 引言 | 第34-36页 |
| 2.2 实验部分 | 第36-42页 |
| 2.2.1 实验材料和设备 | 第36-38页 |
| 2.2.2 石墨烯/PEDOT:PSS/平面硅光伏器件的制备 | 第38-42页 |
| 2.3 结果与分析 | 第42-54页 |
| 2.3.1 器件结构和能带分析 | 第42-43页 |
| 2.3.2 PEDOT:PSS厚度对器件性能的影响 | 第43-45页 |
| 2.3.3 FDTD模拟 | 第45-47页 |
| 2.3.4 改变PMMA厚度调控器件光吸收 | 第47-49页 |
| 2.3.5 石墨烯层数对器件性能的影响 | 第49-51页 |
| 2.3.6 表面光电流mapping | 第51-52页 |
| 2.3.7 器件的稳定性测试 | 第52-54页 |
| 2.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 2.5 本章文献引用 | 第55-60页 |
| 第三章 基于石墨烯量子点/娃纳米线异质结太阳能电池 | 第60-82页 |
| 3.1 引言 | 第60-62页 |
| 3.2 实验部分 | 第62-65页 |
| 3.2.1 实验材料和设备 | 第62-63页 |
| 3.2.2 光伏器件的制备 | 第63-65页 |
| 3.3 结果与分析 | 第65-77页 |
| 3.3.1 石墨烯量子点(GQDs)的表征 | 第65-67页 |
| 3.3.2 硅纳米阵列钝化前后的反射率 | 第67-69页 |
| 3.3.3 器件结构示意图以及电镜表征 | 第69-70页 |
| 3.3.4 有无GQDs器件性能差异 | 第70-72页 |
| 3.3.5 器件的能带图 | 第72-73页 |
| 3.3.6 少子寿命分析测试 | 第73-74页 |
| 3.3.7 不同层数GQDs器件性能对比 | 第74-77页 |
| 3.4 本章小结 | 第77-78页 |
| 3.5 本章参考文献 | 第78-82页 |
| 第四章 总结与展望 | 第82-83页 |
| 攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文 | 第83-84页 |
| 致谢 | 第84页 |
