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晶态硫族半导体纳米团簇的稳定、组装及其光/电性能研究

中文摘要第4-6页
Abstract第6-8页
第一章 绪论第13-64页
    1.1 晶态金属硫族化合物概述第13-15页
    1.2 “宏观尺度”的晶态硫族化合物第15-17页
    1.3 纳米尺度的晶态硫族化合物第17-21页
    1.4 原子尺度的晶态硫族化合物第21-24页
    1.5 基于纳米团簇的晶态硫族化合物第24-47页
        1.5.1 合成方法第24-26页
        1.5.2 金属硫族纳米团簇第26-32页
        1.5.3 组装特点第32-39页
        1.5.4 纳米团簇稳定特点第39-42页
        1.5.5 结构相关特性第42-46页
        1.5.6 基于纳米团簇晶态硫族化合物研究特点分析第46-47页
    1.6 本论文的选题依据和研究内容第47-51页
    1.7 参考文献第51-64页
第二章 Cd-In-S空心纳米团簇的改性及其光致/电化学发光性能研究第64-103页
    2.1 引言第64-65页
    2.2 实验部分第65-71页
        2.2.1 化学试剂第65页
        2.2.2 ISC-10-CdInS改性依据第65-67页
        2.2.3 原位掺杂样品的合成第67页
        2.2.4 电化学测试电极的制备第67-68页
        2.2.5 表征与测试第68-71页
    2.3 结果与讨论第71-99页
        2.3.1 结构表征与分析第71-75页
        2.3.2 光谱表征第75-81页
        2.3.3 荧光量子产率表征第81-84页
        2.3.4 电子顺磁共振表征第84-85页
        2.3.5 发光动力学表征第85-88页
        2.3.6 低温荧光测试第88-89页
        2.3.7 热重分析及高温荧光测试第89-91页
        2.3.8 电化学测试第91-92页
        2.3.9 电化学发光测试第92-95页
        2.3.10 电化学发光机理研究第95-97页
        2.3.11 电化学发光效率第97-99页
    2.4 本章小节第99-100页
    2.5 参考文献第100-103页
第三章 Mn(Ⅱ)掺杂金属硫族纳米团簇的荧光调变第103-137页
    3.1 引言第103-104页
    3.2 实验部分第104-106页
        3.2.1 化学试剂第104页
        3.2.2 Mn(Ⅱ)掺杂样品的合成第104-105页
        3.2.3 离子交换第105页
        3.2.4 表征与测试第105-106页
    3.3 结果与讨论第106-134页
        3.3.1 Mn~(2+)掺杂化合物ISC-10-Mn@ZnInS第106-119页
        3.3.2 Cu~+掺杂化合物ISC-10-Cu@MnInS及ISC-10-Cu@CdInS第119-126页
        3.3.4 Mn~(2+)掺杂的T4团簇Mn_4In_(16)S_(35)第126-131页
        3.3.5 Mn~(2+)掺杂纳米团簇的“构-效”关系第131-134页
    3.4 本章小结第134-135页
    3.5 参考文献第135-137页
第四章 硒化铟类沸石中断结构的稳定、掺杂及其光电性能研究第137-173页
    4.1 引言第137页
    4.2 实验部分第137-141页
        4.2.1 化学试剂第137-138页
        4.2.2 化合物CSZ-5-InSe的合成第138页
        4.2.3 化合物CSZ-5-InBiSe的合成第138页
        4.2.4 化合物CSZ-5-InSeS-n的合成第138-139页
        4.2.5 表征与测试第139-141页
    4.3 结果与讨论第141-170页
        4.3.1 单晶结构分析第141-145页
        4.3.2 CSZ-5-InSe单晶结构的确定第145-149页
        4.3.3 CSZ-5-InBiSe结构的确定第149-152页
        4.3.4 CSZ-5-InSe及CSZ-5-InBiSe的光电性能第152-154页
        4.3.5 CSZ-5-InSe的电催化性能第154-156页
        4.3.6 CSZ-5-InSe氧还原机理研究第156-157页
        4.3.7 CSZ-5-InSe的合金化第157-160页
        4.3.8 CSZ-5-InSeS-n的合金化特性第160-163页
        4.3.9 CSZ-5-InSeS-n的光学特性第163-168页
        4.3.10 CSZ-5-InSeS-n的能带调控机理第168-170页
        4.3.11 CSZ-5-InSeS-n的电催化性能第170页
    4.4 本章小结第170-171页
    4.5 参考文献第171-173页
第五章 非类闪锌矿硒化铟碎片的稳定、组装及结构调控研究第173-190页
    5.1 引言第173-174页
    5.2 实验部分第174-177页
        5.2.1 化学试剂第174页
        5.2.2 化合物2D-InSe-PR的合成第174-175页
        5.2.3 化合物3D-InSe-3-MPR的合成第175页
        5.2.4 离子交换第175页
        5.2.5 表征与测试第175-177页
    5.3 结果与讨论第177-187页
        5.3.1 单晶结构分析第177-182页
        5.3.2 粉末结构表征及组份确定第182-184页
        5.3.3 吸附特性第184-185页
        5.3.4 光谱表征第185-186页
        5.3.5 结构调控特征第186-187页
    5.4 本章小结第187-188页
    5.5 参考文献第188-190页
第六章 Ge_4S_(10)团簇的杂化及其光电响应性能研究第190-212页
    6.1 引言第190-192页
    6.2 实验部分第192-197页
        6.2.1 化学试剂第192页
        6.2.2 不同取代基紫精化合物的合成第192页
        6.2.3 [Ge_4S_(10)]~(4-)团簇的合成第192-193页
        6.2.4 T2@RV的合成第193-194页
        6.2.5 表征与测试第194-197页
    6.3 结果与讨论第197-208页
        6.3.1 单晶结构分析第197-204页
        6.3.2 纯度表征第204-206页
        6.3.3 光电化学测试第206-208页
    6.4 本章小结第208-209页
    6.5 参考文献第209-212页
第7章 总结与展望第212-214页
博士期间工作第214-216页
致谢第216页

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