中文摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-8页 |
第一章 绪论 | 第13-64页 |
1.1 晶态金属硫族化合物概述 | 第13-15页 |
1.2 “宏观尺度”的晶态硫族化合物 | 第15-17页 |
1.3 纳米尺度的晶态硫族化合物 | 第17-21页 |
1.4 原子尺度的晶态硫族化合物 | 第21-24页 |
1.5 基于纳米团簇的晶态硫族化合物 | 第24-47页 |
1.5.1 合成方法 | 第24-26页 |
1.5.2 金属硫族纳米团簇 | 第26-32页 |
1.5.3 组装特点 | 第32-39页 |
1.5.4 纳米团簇稳定特点 | 第39-42页 |
1.5.5 结构相关特性 | 第42-46页 |
1.5.6 基于纳米团簇晶态硫族化合物研究特点分析 | 第46-47页 |
1.6 本论文的选题依据和研究内容 | 第47-51页 |
1.7 参考文献 | 第51-64页 |
第二章 Cd-In-S空心纳米团簇的改性及其光致/电化学发光性能研究 | 第64-103页 |
2.1 引言 | 第64-65页 |
2.2 实验部分 | 第65-71页 |
2.2.1 化学试剂 | 第65页 |
2.2.2 ISC-10-CdInS改性依据 | 第65-67页 |
2.2.3 原位掺杂样品的合成 | 第67页 |
2.2.4 电化学测试电极的制备 | 第67-68页 |
2.2.5 表征与测试 | 第68-71页 |
2.3 结果与讨论 | 第71-99页 |
2.3.1 结构表征与分析 | 第71-75页 |
2.3.2 光谱表征 | 第75-81页 |
2.3.3 荧光量子产率表征 | 第81-84页 |
2.3.4 电子顺磁共振表征 | 第84-85页 |
2.3.5 发光动力学表征 | 第85-88页 |
2.3.6 低温荧光测试 | 第88-89页 |
2.3.7 热重分析及高温荧光测试 | 第89-91页 |
2.3.8 电化学测试 | 第91-92页 |
2.3.9 电化学发光测试 | 第92-95页 |
2.3.10 电化学发光机理研究 | 第95-97页 |
2.3.11 电化学发光效率 | 第97-99页 |
2.4 本章小节 | 第99-100页 |
2.5 参考文献 | 第100-103页 |
第三章 Mn(Ⅱ)掺杂金属硫族纳米团簇的荧光调变 | 第103-137页 |
3.1 引言 | 第103-104页 |
3.2 实验部分 | 第104-106页 |
3.2.1 化学试剂 | 第104页 |
3.2.2 Mn(Ⅱ)掺杂样品的合成 | 第104-105页 |
3.2.3 离子交换 | 第105页 |
3.2.4 表征与测试 | 第105-106页 |
3.3 结果与讨论 | 第106-134页 |
3.3.1 Mn~(2+)掺杂化合物ISC-10-Mn@ZnInS | 第106-119页 |
3.3.2 Cu~+掺杂化合物ISC-10-Cu@MnInS及ISC-10-Cu@CdInS | 第119-126页 |
3.3.4 Mn~(2+)掺杂的T4团簇Mn_4In_(16)S_(35) | 第126-131页 |
3.3.5 Mn~(2+)掺杂纳米团簇的“构-效”关系 | 第131-134页 |
3.4 本章小结 | 第134-135页 |
3.5 参考文献 | 第135-137页 |
第四章 硒化铟类沸石中断结构的稳定、掺杂及其光电性能研究 | 第137-173页 |
4.1 引言 | 第137页 |
4.2 实验部分 | 第137-141页 |
4.2.1 化学试剂 | 第137-138页 |
4.2.2 化合物CSZ-5-InSe的合成 | 第138页 |
4.2.3 化合物CSZ-5-InBiSe的合成 | 第138页 |
4.2.4 化合物CSZ-5-InSeS-n的合成 | 第138-139页 |
4.2.5 表征与测试 | 第139-141页 |
4.3 结果与讨论 | 第141-170页 |
4.3.1 单晶结构分析 | 第141-145页 |
4.3.2 CSZ-5-InSe单晶结构的确定 | 第145-149页 |
4.3.3 CSZ-5-InBiSe结构的确定 | 第149-152页 |
4.3.4 CSZ-5-InSe及CSZ-5-InBiSe的光电性能 | 第152-154页 |
4.3.5 CSZ-5-InSe的电催化性能 | 第154-156页 |
4.3.6 CSZ-5-InSe氧还原机理研究 | 第156-157页 |
4.3.7 CSZ-5-InSe的合金化 | 第157-160页 |
4.3.8 CSZ-5-InSeS-n的合金化特性 | 第160-163页 |
4.3.9 CSZ-5-InSeS-n的光学特性 | 第163-168页 |
4.3.10 CSZ-5-InSeS-n的能带调控机理 | 第168-170页 |
4.3.11 CSZ-5-InSeS-n的电催化性能 | 第170页 |
4.4 本章小结 | 第170-171页 |
4.5 参考文献 | 第171-173页 |
第五章 非类闪锌矿硒化铟碎片的稳定、组装及结构调控研究 | 第173-190页 |
5.1 引言 | 第173-174页 |
5.2 实验部分 | 第174-177页 |
5.2.1 化学试剂 | 第174页 |
5.2.2 化合物2D-InSe-PR的合成 | 第174-175页 |
5.2.3 化合物3D-InSe-3-MPR的合成 | 第175页 |
5.2.4 离子交换 | 第175页 |
5.2.5 表征与测试 | 第175-177页 |
5.3 结果与讨论 | 第177-187页 |
5.3.1 单晶结构分析 | 第177-182页 |
5.3.2 粉末结构表征及组份确定 | 第182-184页 |
5.3.3 吸附特性 | 第184-185页 |
5.3.4 光谱表征 | 第185-186页 |
5.3.5 结构调控特征 | 第186-187页 |
5.4 本章小结 | 第187-188页 |
5.5 参考文献 | 第188-190页 |
第六章 Ge_4S_(10)团簇的杂化及其光电响应性能研究 | 第190-212页 |
6.1 引言 | 第190-192页 |
6.2 实验部分 | 第192-197页 |
6.2.1 化学试剂 | 第192页 |
6.2.2 不同取代基紫精化合物的合成 | 第192页 |
6.2.3 [Ge_4S_(10)]~(4-)团簇的合成 | 第192-193页 |
6.2.4 T2@RV的合成 | 第193-194页 |
6.2.5 表征与测试 | 第194-197页 |
6.3 结果与讨论 | 第197-208页 |
6.3.1 单晶结构分析 | 第197-204页 |
6.3.2 纯度表征 | 第204-206页 |
6.3.3 光电化学测试 | 第206-208页 |
6.4 本章小结 | 第208-209页 |
6.5 参考文献 | 第209-212页 |
第7章 总结与展望 | 第212-214页 |
博士期间工作 | 第214-216页 |
致谢 | 第216页 |