取向硅钢薄带的渗硅研究
摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第11-23页 |
1.1 取向硅钢概述 | 第11-16页 |
1.1.1 取向硅钢发展史 | 第11-13页 |
1.1.2 取向硅钢的制备工艺 | 第13-15页 |
1.1.3 取向硅钢的织构与性能 | 第15-16页 |
1.2 高硅钢的制备技术 | 第16-19页 |
1.2.1 化学气相沉积法(CVD法) | 第16-17页 |
1.2.2 等离子体化学气相沉积法(PCVD法) | 第17-18页 |
1.2.3 粉末包埋法 | 第18-19页 |
1.2.4 熔盐法 | 第19页 |
1.2.5 表面纳米化固体渗硅 | 第19页 |
1.3 渗硅层的力学性能研究 | 第19-21页 |
1.4 本论文研究意义及内容 | 第21-23页 |
第2章 试样制备与研究方法 | 第23-27页 |
2.1 实验材料 | 第23页 |
2.2 试验方法 | 第23-25页 |
2.2.1 粉末包埋法固体渗硅 | 第23-24页 |
2.2.2 真空扩散退火 | 第24页 |
2.2.3 Ar扩散退火 | 第24-25页 |
2.3 分析方法 | 第25-27页 |
2.3.1 金相观察 | 第25页 |
2.3.2 扫描电子显微镜 | 第25页 |
2.3.3 X射线衍射分析 | 第25-26页 |
2.3.4 硬度测试 | 第26页 |
2.3.5 拉伸测试 | 第26-27页 |
第3章 粉末包埋法渗硅 | 第27-37页 |
3.1 横截面组织 | 第27-29页 |
3.1.1 不同保温温度 | 第27-28页 |
3.1.2 不同保温时间 | 第28-29页 |
3.2 硅沿板材深度方向的变化 | 第29-31页 |
3.3 渗硅层的物相 | 第31-32页 |
3.4 分析与讨论 | 第32-35页 |
3.4.1 Si的扩散过程 | 第32-33页 |
3.4.2 工艺参数对渗硅层厚度的影响 | 第33-35页 |
3.5 本章小结 | 第35-37页 |
第4章 真空扩散退火 | 第37-49页 |
4.1 横截面组织 | 第37-40页 |
4.1.1 保温30min | 第37-38页 |
4.1.2 保温60min | 第38-39页 |
4.1.3 保温90min | 第39-40页 |
4.2 硅沿板材深度方向的变化 | 第40-44页 |
4.2.1 保温30min | 第40-42页 |
4.2.2 保温60min | 第42-43页 |
4.2.3 保温90min | 第43-44页 |
4.3 渗硅层的物相 | 第44-45页 |
4.4 分析与讨论 | 第45-47页 |
4.5 本章小结 | 第47-49页 |
第5章 Ar保护扩散退火 | 第49-57页 |
5.1 横截面组织 | 第49-51页 |
5.1.1 保温30min | 第49-50页 |
5.1.2 保温60min | 第50-51页 |
5.2 硅沿板材深度方向的变化 | 第51-54页 |
5.2.1 保温30min | 第51-53页 |
5.2.2 保温60min | 第53-54页 |
5.3 渗硅层的物相 | 第54-55页 |
5.4 分析与讨论 | 第55-56页 |
5.5 本章小结 | 第56-57页 |
第6章 力学性能分析 | 第57-61页 |
6.1 硬度沿板材深度的变化 | 第57-58页 |
6.2 试样的应力应变曲线 | 第58-60页 |
6.3 本章小结 | 第60-61页 |
第7章 结论 | 第61-63页 |
参考文献 | 第63-67页 |
致谢 | 第67页 |