| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第12-19页 |
| 1.1 课题研究的背景 | 第12-13页 |
| 1.2 Al_xGa_(1-x)N基深紫外器件研究现状 | 第13-15页 |
| 1.3 Al_xGa_(1-x)N材料光学各向异性 | 第15-17页 |
| 1.4 本论文主要的研究工作 | 第17-19页 |
| 第2章 第一性原理及Al_xGa_(1-x)N晶胞构建 | 第19-24页 |
| 2.1 第一性原理概述 | 第19-22页 |
| 2.2 第一性原理计算软件包 | 第22-23页 |
| 2.3 Al_xGa_(1-x)N晶体模型构建 | 第23-24页 |
| 第3章 变Al组分Al_xGa_(1-x)N材料光电特性的研究 | 第24-32页 |
| 3.1 引言 | 第24页 |
| 3.2 变Al组份Al_xGa_(1-x)N材料电学性质 | 第24-27页 |
| 3.3 变Al组份Al_xGa_(1-x)N材料光学特性 | 第27-31页 |
| 3.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 第4章 晶格结构变化对Al_xGa_(1-x)N材料的光学特性影响的研究 | 第32-38页 |
| 4.1 引言 | 第32页 |
| 4.2 晶格结构的变化对能带结构和光学各向异性的影响 | 第32-33页 |
| 4.3 晶格结构变化对光学特性的影响 | 第33-36页 |
| 4.4 本章小结 | 第36-38页 |
| 第5章 变组份阶梯形Al_xGa_(1-x)N量子阱结构光学性质研究 | 第38-45页 |
| 5.1 引言 | 第38页 |
| 5.2 阶梯形Al_xGa_(1-x)N量子阱结构模型的构建 | 第38-39页 |
| 5.3 不同阱参数对能带结构和光学各向异性的影响 | 第39-40页 |
| 5.4 晶格结构变化对光学特性的影响 | 第40-44页 |
| 5.5 本章小结 | 第44-45页 |
| 全文总结 | 第45-47页 |
| 参考文献 | 第47-55页 |
| 攻读学位期间发表的学术成果 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
