摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5页 |
第一章 绪论 | 第8-31页 |
1.1 纳微米多孔配位聚合物材料 | 第8-9页 |
1.2 纳微米多孔配位聚合物材料的制备 | 第9-18页 |
1.2.1 沉淀法 | 第9-10页 |
1.2.2 溶剂热(水热)法 | 第10-12页 |
1.2.3 超声波法 | 第12-13页 |
1.2.4 微波辅助合成法 | 第13-14页 |
1.2.5 其它合成方法 | 第14-16页 |
1.2.6 纳微米多孔配位聚合物膜的合成方法 | 第16-18页 |
1.3 纳微米多孔配位聚合物材料的形貌、尺寸调控 | 第18-22页 |
1.3.1 反应物种类 | 第18-20页 |
1.3.2 反应参数 | 第20-21页 |
1.3.3 助剂辅助的可控合成方法 | 第21-22页 |
1.4. 纳微米多孔配位聚合物材料的应用 | 第22-26页 |
1.4.1 传感应用 | 第22-23页 |
1.4.2 光电材料方面的应用 | 第23-25页 |
1.4.3 气体储存和吸附分离作用 | 第25-26页 |
1.5 稀土多孔配位聚合物材料的研究 | 第26-28页 |
1.6 论文的主要设计思路、主要研究内容、创新之处 | 第28-31页 |
1.6.1 C3对称性结构化合物的研究进展 | 第28-29页 |
1.6.2 论文设计思路及主要研究内容 | 第29-30页 |
1.6.3 本论文的创新之处 | 第30-31页 |
第二章 基于 π-体系的TbBTB纳米空心球的制备及其分子传感 | 第31-45页 |
2.1 引言 | 第31-32页 |
2.2 实验部分 | 第32-34页 |
2.2.1 原料与试剂 | 第32页 |
2.2.2 纳米空心球的制备 | 第32-33页 |
2.2.3 纳米空心球的影响因素探究实验 | 第33页 |
2.2.4 配位聚合物爆炸物传感性质的测试 | 第33页 |
2.2.5 表征仪器 | 第33-34页 |
2.3 结果与讨论 | 第34-44页 |
2.3.1 TbBTB配位聚合物的微纳米结构的形貌及表征 | 第34-36页 |
2.3.2 TbBTB配位聚合物的微纳米结构的生长机理 | 第36-39页 |
2.3.3 TbBTB配位聚合物的微纳米结构的影响因素 | 第39-40页 |
2.3.4 TbBTB配位聚合物的爆炸物检测 | 第40-44页 |
2.4 本章小结 | 第44-45页 |
第三章 TbBTC多孔配位聚合物的形貌、尺寸及其性质研究 | 第45-56页 |
3.1 引言 | 第45-46页 |
3.2 实验部分 | 第46-48页 |
3.2.1 原料与试剂 | 第46页 |
3.2.2 表面活性剂SDS条件下合成配位聚合物纳米结构 | 第46-47页 |
3.2.3 表面活性剂PVP/CTAB条件下合成配位聚合物纳米结构 | 第47页 |
3.2.4 配位聚合物爆炸物传感性质的测试 | 第47-48页 |
3.2.5 表征仪器 | 第48页 |
3.3 实验结果及讨论 | 第48-55页 |
3.3.1 表面活性剂SDS对TbBTC形貌和尺寸的影响 | 第48-50页 |
3.3.2 表面活性剂SDS对TbBTC形貌和尺寸的影响 | 第50-53页 |
3.3.3 表面活性剂PVP、CTAB对Tb(BTC)形貌和尺寸的影响 | 第53-54页 |
3.3.4 TbBTC配位聚合物的爆炸物检测 | 第54-55页 |
3.4 本章小结 | 第55-56页 |
第四章 溶剂调控TPA基配位聚合物多孔纳米球的制备及表征 | 第56-66页 |
4.1 引言 | 第56-57页 |
4.2 实验 | 第57-59页 |
4.2.1 合成TPA-TPDAF(三(4-(9-苯基-4,5-二氮杂芴)苯基)胺) | 第57-58页 |
4.2.2 纳米笼状CuTPA配位聚合物制备 | 第58页 |
4.2.3 溶剂对纳米配位聚合物的影响 | 第58页 |
4.2.4 配位聚合物Cu-TPA配位凝胶的制备 | 第58-59页 |
4.2.5 实验与仪器 | 第59页 |
4.3 结果与讨论 | 第59-65页 |
4.3.1 合成TPA相应的核磁谱图 | 第59-60页 |
4.3.2 纳米笼状结构的性质研究 | 第60-62页 |
4.3.3 纳米笼状结构的生长机理 | 第62-64页 |
4.3.4 配位凝胶的制备 | 第64-65页 |
4.4 本章小结 | 第65-66页 |
第五章 总结与展望 | 第66-68页 |
参考文献 | 第68-79页 |
附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第79-80页 |
附录2 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第80-81页 |
附录3 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第81-82页 |
致谢 | 第82页 |