Sb2Te3体系拓扑绝缘体的制备与表面性能研究
| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9页 |
| 第一章 绪论 | 第14-23页 |
| 1.1 自旋电子学 | 第15-16页 |
| 1.2 霍尔效应 | 第16-20页 |
| 1.2.1 自旋霍尔效应 | 第16-17页 |
| 1.2.2 量子自旋霍尔效应 | 第17-19页 |
| 1.2.3 量子反常霍尔效应 | 第19-20页 |
| 1.3 拓扑绝缘体 | 第20-23页 |
| 第二章 实验仪器与实验原理 | 第23-34页 |
| 2.1 超高真空技术 | 第23-29页 |
| 2.1.1 真空的概念及特点 | 第23页 |
| 2.1.2 超高真空的获得 | 第23-26页 |
| 2.1.3 真空系统的检漏 | 第26-29页 |
| 2.2 分子束外延技术 | 第29-31页 |
| 2.3 反射式高能电子衍射技术 | 第31-34页 |
| 2.3.1 反射高能电子衍射仪技术介绍 | 第31-32页 |
| 2.3.2 RHEED主要特征 | 第32-34页 |
| 第三章 外延生长工艺 | 第34-39页 |
| 3.1 源材料 | 第34页 |
| 3.2 外延生长操作流程 | 第34-39页 |
| 3.2.1 基板和衬底的前期处理 | 第34-36页 |
| 3.2.2 衬底的传入与烘烤 | 第36-37页 |
| 3.2.3 薄膜的生长 | 第37-39页 |
| 第四章 测试与分析手段 | 第39-53页 |
| 4.1 X射线衍射 | 第39-40页 |
| 4.1.1 检测原理 | 第39页 |
| 4.1.2 X射线衍射仪 | 第39-40页 |
| 4.2 场发射扫描电子显微镜 | 第40-42页 |
| 4.2.1 SEM的基本原理 | 第40-41页 |
| 4.2.2 扫描电子显微镜的主要性能参数 | 第41-42页 |
| 4.3 原子力显微镜 | 第42-43页 |
| 4.3.1 检测原理 | 第42页 |
| 4.3.2 原子力显微镜 | 第42-43页 |
| 4.4 实验结果与分析 | 第43-53页 |
| 4.4.1 薄膜样品的XRD分析 | 第44-47页 |
| 4.4.2 薄膜样品的场发射扫描电子显微镜分析 | 第47-50页 |
| 4.4.3 薄膜样品的AFM分析 | 第50-53页 |
| 第五章 总结与展望 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 | 第59页 |
