| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第9-13页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第13-20页 |
| 第2章 双栅场效应晶体管的制备 | 第20-26页 |
| 2.1 制备工艺 | 第20-22页 |
| 2.1.1 衬底的清洗 | 第20页 |
| 2.1.2 机械剥离MoS_2二维材料 | 第20-21页 |
| 2.1.3 电子束光刻,热蒸发镀膜制备源漏电极 | 第21页 |
| 2.1.4 有机介质层的旋涂与制备 | 第21-22页 |
| 2.1.5 顶栅的制备 | 第22页 |
| 2.1.6 器件的电学测量 | 第22页 |
| 2.2 场效应晶体管的基本工作原理 | 第22-23页 |
| 2.3 场效应晶体管的基本参数 | 第23-25页 |
| 2.4 本章小结 | 第25-26页 |
| 第3章 不同有机介质层场效应晶体管的性能的研究 | 第26-35页 |
| 3.1 引言 | 第26页 |
| 3.2 不同有机介质层P(VDF-TrFE)和PMMA的介电特性 | 第26-29页 |
| 3.3 薄膜材料的原子力显微镜表征 | 第29-30页 |
| 3.4 有机介质层P(VDF-TrFE)和PMMA分别对应的MoS_2-FET的电学特性 | 第30-34页 |
| 3.5 本章小节 | 第34-35页 |
| 第4章 基于有机铁电晶体管忆阻器的模拟 | 第35-40页 |
| 4.1 引言 | 第35页 |
| 4.2 基于P(VDF-TrFE)场效应晶体管忆阻器的电学测试 | 第35-39页 |
| 4.3 本章小节 | 第39-40页 |
| 第5章 用于神经形态计算的可调控人造突触有机铁电晶体管 | 第40-49页 |
| 5.1 引言 | 第40-41页 |
| 5.2 模拟器件性能的研究 | 第41-48页 |
| 5.3 本章小结 | 第48-49页 |
| 附录 | 第49-51页 |
| 第6章 结论与展望 | 第51-52页 |
| 6.1 结论 | 第51页 |
| 6.2 展望 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第58页 |
