| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 课题的研究背景及目的 | 第10-11页 |
| 1.2 磁控溅射技术 | 第11-17页 |
| 1.2.1 磁控溅射技术原理及发展 | 第11-12页 |
| 1.2.2 非平衡磁控溅射技术 | 第12-14页 |
| 1.2.3 脉冲磁控溅射技术 | 第14-17页 |
| 1.3 类金刚石薄膜简介及制备技术 | 第17-21页 |
| 1.3.1 类金刚石薄膜简介 | 第17-20页 |
| 1.3.2 金属杂类金刚石薄膜 | 第20-21页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第21-22页 |
| 第2章 试验材料与方法 | 第22-30页 |
| 2.1 试验材制备及试验设备 | 第22-24页 |
| 2.1.1 试验材料 | 第22页 |
| 2.1.2 试样制备 | 第22-23页 |
| 2.1.3 试验设备 | 第23-24页 |
| 2.2 试验方法 | 第24-29页 |
| 2.2.1 放电特性试验 | 第24-27页 |
| 2.2.2 Cr-DLC薄膜制备试验 | 第27-29页 |
| 2.3 分析测试方法 | 第29-30页 |
| 2.3.1 扫描电镜（SEM）分析 | 第29页 |
| 2.3.2 拉曼光谱分析 | 第29页 |
| 2.3.3 X射线衍射（XRD）分析 | 第29页 |
| 2.3.4 摩擦磨损分析 | 第29页 |
| 2.3.5 洛氏硬度分析 | 第29页 |
| 2.3.6 电化学腐蚀分析 | 第29页 |
| 2.3.7 光学显微镜观察 | 第29-30页 |
| 第3章 Cr靶中频脉冲磁控溅射等放电特性研究 | 第30-42页 |
| 3.1 电源参数对放电特性的影响 | 第30-33页 |
| 3.1.1 中频电源电压电流波形 | 第30-31页 |
| 3.1.2 偏压电源电压电流波形 | 第31-33页 |
| 3.2 气压对放电特性的影响 | 第33-36页 |
| 3.3 靶电流对基体电流的影响 | 第36-38页 |
| 3.4 反应气体对放电特性的影响 | 第38-40页 |
| 3.4.1 N_2与Ar比例对放电特性的影响 | 第38-39页 |
| 3.4.2 C_2H_2与Ar比例对放电特性的影响 | 第39-40页 |
| 3.5 基体位置对放电特性的影响 | 第40-41页 |
| 3.6 本章小结 | 第41-42页 |
| 第4章 Cr靶非平衡直流磁控溅射放电特性测试 | 第42-57页 |
| 4.1 磁场位型对放电特性的影响 | 第42-46页 |
| 4.1.1 不同磁场位型及基体位置对放电特性的影响 | 第42-44页 |
| 4.1.2 磁场对放电特性影响分析 | 第44-46页 |
| 4.2 工艺参数对放电特性的影响 | 第46-51页 |
| 4.2.1 气压对放电特性的影响 | 第46-48页 |
| 4.2.2 靶电流对基体电流的影响 | 第48-49页 |
| 4.2.3 反应气体对放电特性的影响 | 第49-51页 |
| 4.3 中频脉冲磁控溅射与非平衡直流磁控溅射对比分析 | 第51-56页 |
| 4.3.1 两种磁控溅射技术靶功率对比 | 第51-52页 |
| 4.3.2 气压对两种磁控溅射技术影响对比 | 第52-53页 |
| 4.3.3 反应气体对两种磁控溅射技术影响对比 | 第53-54页 |
| 4.3.4 基体位置对两种磁控溅射技术影响对比 | 第54-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 第5章 Cr-DLC薄膜制备及组织性能研究 | 第57-72页 |
| 5.1 Cr-DLC薄膜沉积工艺探索 | 第57-58页 |
| 5.2 Cr-DLC薄膜组织结构分析 | 第58-66页 |
| 5.2.1 Cr-DLC薄膜断裂截面SEM分析 | 第58-61页 |
| 5.2.2 Cr-DLC薄膜XRD相结构分析 | 第61-62页 |
| 5.2.3 Cr-DLC薄膜Raman光谱分析 | 第62-66页 |
| 5.3 Cr-DLC薄膜性能测试及分析 | 第66-70页 |
| 5.3.1 Cr-DLC薄膜压痕形貌分析 | 第66-67页 |
| 5.3.2 Cr-DLC薄膜摩擦磨损分析 | 第67-69页 |
| 5.3.3 Cr-DLC薄膜电化学腐蚀分析 | 第69-70页 |
| 5.4 本章小结 | 第70-72页 |
| 结论 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
