摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
第一章 绪论 | 第12-29页 |
1.1 铋层状压电材料的结构 | 第13-14页 |
1.2 铋层状压电材料的性质 | 第14-19页 |
1.2.1 高居里温度 | 第15页 |
1.2.2 介电特性 | 第15-16页 |
1.2.3 压电特性 | 第16页 |
1.2.4 抗疲劳特性 | 第16页 |
1.2.5 直流电导 | 第16-17页 |
1.2.6 阻抗特性 | 第17-19页 |
1.3 铋层状压电材料的应用 | 第19-22页 |
1.3.1 BLSFs 在频率控制器件中的应用 | 第19-20页 |
1.3.2 BLSFs 在能量转换器件中的应用 | 第20-21页 |
1.3.3 BLSFs 在铁电随机存储器中的应用 | 第21-22页 |
1.4 CaBi_4Ti_4O_(15)结构与性能 | 第22-23页 |
1.5 CaBi_4Ti_4O_(15)改性研究 | 第23-27页 |
1.5.1 工艺改性 | 第23-25页 |
1.5.2 掺杂改性 | 第25-27页 |
1.6 本论文研究内容及意义 | 第27-29页 |
第二章 实验方法 | 第29-33页 |
2.1 配方设计与工艺流程 | 第29-30页 |
2.1.1 A、B 位离子复合掺杂 | 第29-30页 |
2.1.2 两相复合 | 第30页 |
2.2 结构与性能测试 | 第30-33页 |
2.2.1 晶相结构与显微形貌分析 | 第30-31页 |
2.2.2 介电性能测试 | 第31页 |
2.2.3 复阻抗、交流电导率测试 | 第31-32页 |
2.2.4 直流电导率测试 | 第32页 |
2.2.5 压电性能测试 | 第32-33页 |
第三章 CaBi_4Ti_4O_(15)陶瓷 A/B 位离子复合掺杂改性研究 | 第33-53页 |
3.1 Y~(3+)和 V~(5+)离子的 A、B 位复合掺杂改性 | 第34-45页 |
3.1.1 晶相组成 | 第34-35页 |
3.1.2 显微形貌 | 第35-36页 |
3.1.3 介电性能 | 第36-39页 |
3.1.4 阻抗特性 | 第39-44页 |
3.1.5 压电性能 | 第44-45页 |
3.2 Eu~(3+)和 V~(5+)离子的 A、B 位复合掺杂改性 | 第45-52页 |
3.2.1 晶相组成 | 第45-47页 |
3.2.2 显微形貌 | 第47页 |
3.2.3 介电性能 | 第47-51页 |
3.2.4 压电性能 | 第51-52页 |
3.3 本章小结 | 第52-53页 |
第四章 CaBi_4Ti_4O_(15)与钙钛矿结构复合陶瓷研究 | 第53-68页 |
4.1 CaBi_4Ti_4O_(15)-K_(0.48)Na_(0.52)NbO_3复合陶瓷 | 第54-62页 |
4.1.1 晶相组成 | 第54-55页 |
4.1.2 显微形貌 | 第55-56页 |
4.1.3 介电性能 | 第56-61页 |
4.1.4 压电性能 | 第61-62页 |
4.2 CaBi_4Ti_4O_(15)-Na_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3复合陶瓷 | 第62-67页 |
4.2.1 晶相组成 | 第62-63页 |
4.2.2 显微形貌 | 第63-64页 |
4.2.3 介电性能 | 第64-67页 |
4.2.4 压电性能 | 第67页 |
4.3 本章小结 | 第67-68页 |
第五章 CaBi_4Ti_4O_(15)与 Bi_4Ti_3O_(12)共生结构研究 | 第68-77页 |
5.1 晶相组成 | 第68-69页 |
5.2 显微形貌 | 第69-71页 |
5.3 介电性能 | 第71-75页 |
5.3.1 介电常数与温度的关系 | 第71-73页 |
5.3.2 介电损耗与温度的关系 | 第73-75页 |
5.4 压电性能 | 第75-76页 |
5.5 本章小结 | 第76-77页 |
结论 | 第77-79页 |
参考文献 | 第79-86页 |
攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第86-87页 |
致谢 | 第87-88页 |
附件 | 第88页 |